[实用新型]图像传感器和图像传感器集成电路

权利要求书

1.一种图像传感器，其特征在于包括：

具有半导体层的衬底；

所述半导体层中的光敏元件阵列，其中所述光敏元件阵列被所述衬底的外围区至少部分地包围；以及

所述衬底的所述外围区中的接合垫，其中所述接合垫凹入到所述衬底中，并且其中所述接合垫的顶表面与所述衬底的顶表面实质上平齐。

2.根据权利要求1所述的图像传感器，其特征在于所述接合垫的所述顶表面位于所述衬底的所述顶表面的0.5μm内。

3.根据权利要求2所述的图像传感器，其特征在于还包括：

所述半导体层下方的介电层；以及

所述接合垫下方的所述介电层中的输入/输出电路，其中所述接合垫电连接至所述输入/输出电路。

4.根据权利要求2所述的图像传感器，其特征在于还包括：

插置在所述接合垫和所述半导体层之间的介电衬里。

5.根据权利要求4所述的图像传感器，其特征在于所述介电衬里包括氧化物。

6.根据权利要求3所述的图像传感器，其特征在于还包括：

所述输入/输出电路上方的所述半导体层中的介电窗口，其中所述接合垫凹入到所述介电窗口中。

7.根据权利要求6所述的图像传感器，其特征在于所述介电窗口包括氧化物。

8.根据权利要求2所述的图像传感器，其特征在于还包括：

所述衬底的所述外围区中的对准结构，所述对准结构包括：

所述半导体层中的透明氧化物窗口；以及

所述透明窗口下方的至少一个对准标记。

9.一种图像传感器，其特征在于包括：

具有半导体层和介电层的衬底，其中所述衬底包括像素区和对准区；

所述衬底的所述像素区中所述半导体层中的光电二极管阵列；

所述衬底的所述对准区中所述半导体层中的透明窗口；以及

所述衬底的所述对准区中所述介电层中的至少一个对准标记，其中所述至少一个对准标记与所述透明窗口对齐。

10.根据权利要求9所述的图像传感器，其特征在于所述透明窗口包括介电材料。

11.根据权利要求10所述的图像传感器，其特征在于所述介电材料包括氧化物。

12.根据权利要求9所述的图像传感器，其特征在于所述至少一个对准标记包括多晶硅。

13.根据权利要求9所述的图像传感器，其特征在于所述至少一个对准标记包括金属。

14.一种图像传感器集成电路，其特征在于包括：

半导体层；

所述半导体层中的光敏元件；

所述半导体层下的介电层；

所述半导体层中的接合垫，其中所述接合垫的上表面与所述半导体层的上表面实质上相平；以及

所述介电层中的金属垫，所述金属垫电耦接到外部电路。

15.根据权利要求14所述的图像传感器集成电路，其特征在于还包括：

所述金属垫上方的所述半导体层中的窗口。

16.根据权利要求15所述的图像传感器集成电路，其特征在于所述窗口是氧化物窗口。

17.根据权利要求15所述的图像传感器集成电路，其特征在于所述接合垫凹入到所述窗口中，并且其中所述窗口具有孔，所述接合垫通过所述孔电连接至所述金属垫。

18.根据权利要求17所述的图像传感器集成电路，其特征在于所述接合垫和所述窗口的侧壁之间存在间隙，并且其中所述间隙由树脂填充。

19.根据权利要求14所述的图像传感器集成电路，其特征在于所述半导体层具有孔，所述接合垫通过所述孔电连接至所述金属垫。

20.根据权利要求19所述的图像传感器集成电路，其特征在于还包括：

所述接合垫和所述半导体层之间的氧化物衬里。