[实用新型]像素排列结构、有机电致发光器件、显示装置、掩模板

说明书

技术领域

本实用新型涉及显示技术领域，尤其涉及一种像素排列结构、有机电致发光器件、显示装置、掩模板。

背景技术

在手机和平板显示技术中，主动矩阵有机电致发光(Active Matrix Organic Light Emitting Diode，AMOLED)面板由于其自主发光、色彩鲜艳、低功耗、广视角等优点将逐渐成为下一代显示器的主流。

AMOLED自主发光的原理包括：用背板上制作的铟锡氧化物半导体(ITO)电极和金属电极分别作为器件的阳极和阴极，将有机半导体材料和发光材料蒸镀到基板上，在一定电压驱动下，电子和空穴分别从阴极和阳极注入到电子和空穴传输层，电子和空穴分别经过电子和空穴传输层迁移到发光层，并在发光层中相遇，形成激子并使发光分子激发，后者经过辐射弛豫而发出可见光。

目前人们对手机或者平板的分辨率和亮度要求越来越高，但要生产高质量、高分辨率的有机电致发光(Organic Light Emitting Diode，OLED)显示屏，仍然面临重重挑战。对于高分辨率的AMOLED来说，精密金属掩膜板(Fine Metal Mask，FMM)是制约其发展的最关键技术之一，该蒸镀用的金属掩膜板的制作随着分辨率的提高也越来越困难，同时由于分辨率的提高，子像素发光区域之间的距离要求越来越小，蒸镀出来的屏幕混色也会越来越严重，特别是传统的条状排列的红(R)、绿(G)、蓝(B)三个子像素，每个子像素对应的FMM的开口区域的长度较长，直线性控制困难，容易发生混色。而传统的点状(Slot)的RGB排列方式，虽然不会导致开口率长度较长，直线性难以控制，但是在FMM的开口区域的制作过程中，每个Slot的开口区域之间都要留有一定的金属原材料作为连接桥(称为Rib)，从而导致子像素FMM开口区域的大小缩小，从而影响OLED显示器件的开口率。开口率低，亮度和寿命不能达到要求。从而使AMOLED产品良率低，限制了高分辨率的AMOLED面板量产。

现有技术中的像素排列结构如图1所示，采用slot排列方式，每一像素中包含3个子像素，分别为R、G、B子像素，每一颜色子像素对应的高精细金属掩膜版(FMM)如图2所示，每个FMM开口里面有一个发光区，每一子像素与相邻的不同颜色的子像素之间的距离称为PDL gap，当PDL Gap距离一定时，如图1所示，距离为22um的时候，像素大小为63.3um，子像素R的发光面积为90.1um²，子像素G的发光面积为114.48um²，子像素B的发光面积为150.51um²，R、G、B的开口率分别是2.25％，2.86％，3.76％，总的开口率为8.87％，开口率较低，无法满足产品寿命要求。

综上所述，现有技术中的像素排列结构，导致金属掩膜板的开口区域较小，因此导致发光的面积较小，开口率低，产品亮度和寿命不能达到要求，使AMOLED产品良率低，限制了高分辨率的AMOLED面板量产。

实用新型内容

本实用新型实施例提供了一种像素排列结构、有机电致发光器件、显示装置、掩模板，用以使得制造像素排列结构的金属掩膜板的开口区域较大，进而提高开口率，提高AMOLED产品亮度、寿命以及画质清晰度。

本实用新型实施例提供的一种像素排列结构，包括多个重复排列的像素组，每一像素组包括四个像素，其中，第一像素和第二像素排列在同一行，第三像素和第四像素排列在相邻的另一行，所述第一像素和所述第三像素排列在同一列，所述第二像素和所述第四像素排列在相邻的另一列；所述第一像素中的子像素的排列方式，与所述第二像素中的子像素的排列方式不同，所述第三像素中的子像素的排列方式与所述第二像素中的子像素的排列方式相同，所述第四像素中的子像素的排列方式与所述第一像素中的子像素的排列方式相同。