[实用新型]一种大板LCD有效

专利信息
申请号: 201621230867.7 申请日: 2016-11-16
公开(公告)号: CN206147233U 公开(公告)日: 2017-05-03
发明(设计)人: 吕泰添;谢萍;蔡翠霞 申请(专利权)人: 信利半导体有限公司
主分类号: G02F1/1343 分类号: G02F1/1343
代理公司: 广州粤高专利商标代理有限公司44102 代理人: 邓义华,陈卫
地址: 516600 *** 国省代码: 广东;44
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摘要:
搜索关键词: 一种 lcd
【说明书】:

技术领域

本实用新型涉及液晶显示领域,尤其涉及一种大板LCD。

背景技术

LCD因为空间限制,往往在很小的区域内要走很多ITO线,这些ITO线形状大小不一,而且靠得很近,最小处为0.01mm。实际生产过程中,会有一部份走线带上较多的静电,另一些带上较少、或者没有、或者带上极性相反的静电,此时两根走线间就有电势差,类似一个电容结构。如果这些静电没有被有效释放,而是不断累积,当电势差达到击穿空气程度时,就会在两根走线靠得最近的位置放电,放电过程会烧伤ITO和PI。而这个击穿电压,因为两走线间距很小,几千伏就可以击穿,而生产中的很多岗位能产生10kv以上的静电。

在一份公开号为CN101135789A的发明专利中公开了一种解决液晶显示器件静电击穿的方法。该方法将液晶显示器件所有的引出脚分为单数引出脚和双数引出脚,将所有单数引出脚用等电位线连成一体,所有双数引出脚分别与和它相邻的单数引出脚设置有多个尖端,形成尖端放电电路。但是,在实际制作过程中,由于公差、尖端变钝等原因,尖端之间的距离会大于0.03mm,而静电击穿会最先发生在走线间距的最小位置,因此,上述方法并不能保证静电会在尖端处放电,若是静电不能在尖端处通过放电的方式被释放出来,那么同样会以静电击穿的方式损坏ITO和PI。

实用新型内容

为了解决上述现有技术的不足,本实用新型提供一种大板LCD。该大板LCD上的所有电极走线连接在一起,使得所有电极走线的电势相等,消除了静电放电的条件,从而防止静电烧伤。

本实用新型所要解决的技术问题通过以下技术方案予以实现:

一种大板LCD,包括由切割线围成的若干小粒LCD,所述小粒LCD包括相对贴合的上基板和下基板,所述下基板上形成有像素电极,所述上基板上形成有公共电极,所述下基板上的像素电极的所有像素电极引脚连接至所述切割线外的第一导电环,所述上基板上的公共电极的所有公共电极引脚连接至所述切割线外的第二导电环,所述第一导电环和第二导电环通过导电点连接。

进一步地,所述像素电极和第一导电环均为ITO。

进一步地,所述公共电极和第二导电环均为ITO。

进一步地,所述像素电极引脚和公共电极引脚为ITO。

进一步地,所述导电点为ITO。

本实用新型具有如下有益效果:该大板LCD的下基板上的所有像素电极的引脚均连接至切割线外的第一导电环,上基板上的所有公共电极的引脚均连接至切割线外的第二导电环,然后通过导电点连接第一导电环和第二导电环,能够将大板LCD上的所有电极走线连接在一起,使得所有电极走线的电势相等,消除了静电放电的条件,从而防止静电烧伤。

附图说明

图1为本实用新型提供的大板LCD的示意图;

图2为图1所示的大板LCD中的小粒LCD的示意图;

图3为图2所示的小粒LCD的下基板的示意图;

图4为图2所示的小粒LCD的上基板的示意图。

具体实施方式

下面结合附图和实施例对本实用新型进行详细的说明。

如图1-4所示,一种大板LCD,包括由切割线2围成的若干小粒LCD 1,所述小粒LCD 1包括相对贴合的上基板和下基板,所述下基板上形成有像素电极11,所述上基板上形成有公共电极14,所述下基板上的像素电极11的所有像素电极引脚13连接至所述切割线2外的第一导电环12,所述上基板上的公共电极14的所有公共电极引脚16连接至所述切割线2外的第二导电环15,所述第一导电环12和第二导电环15通过导电点连接。

该大板LCD的下基板上的所有像素电极11的像素电极引脚13均连接至切割线2外的第一导电环12,上基板上的所有公共电极14的公共电极引脚16均连接至切割线2外的第二导电环15,然后通过导电点连接第一导电环12和第二导电环15,能够将小粒LCD 1上的所有电极走线连接在一起,使得所有电极走线的电势相等,消除了静电放电的条件,从而防止静电烧伤。

所述第一导电环12、第二导电环15和导电点均位于小粒LCD 1的切割线2外,在将大板LED切割成小粒LCD 1后,所述第一导电环12、第二导电环15和导电点均不存在于小粒LCD 1上,因此不会对显示造成影响。

所述像素电极11、公共电极14、第一导电环12、第二导电环15、像素电极引脚13、公共电极引脚14和导电点均为ITO。

所述第一导电环12、第二导电环15和导电点均可以在刻蚀像素电极11、公共电极14时形成,无需额外增加制作工序,工艺简单。

以上所述实施例仅表达了本实用新型的实施方式,其描述较为具体和详细,但并不能因此而理解为对本实用新型专利范围的限制,但凡采用等同替换或等效变换的形式所获得的技术方案,均应落在本实用新型的保护范围之内。

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