[实用新型]一种封装结构

说明书

技术领域

本实用新型涉及半导体封装领域，尤其涉及一种封装结构。

背景技术

IGBT是Insulated Gate Bipolar Transistor的缩写，意为绝缘栅双极型晶体管。IGBT是由BJT(双极型晶体管)与MOSFET(绝缘栅型场效应晶体管)组成的复合全控型电压驱动式电子器件。该器件具有开关频率高、输入阻抗较大、热稳定性好、驱动电路简单、低饱和电压及大电流等特性，被作为功率器件广泛应用于交流电机、变频器、开关电源、照明电路、牵引传动、数码相机、电磁加热设备、UPS、电焊机、风力发电等工业控制和电力电子系统领域中。

随着竞争的加剧，IGBT的封装技术一直在朝着提高集成度、减小芯片尺寸的趋势发展，与之相伴的是器件功率和功率密度急剧增加而产生的过高温及热应力的形成，由此带来器件工作稳定性的降低和损坏率的增加。而现有单IGBT只能在其附近增加测温装置，因此测温的准确性以及及时性不好，对IGBT的控温保护不及时。

此外，IGBT在整机中主要工作在开关状态下，且大多数使用在感性负载条件下，这样，对IGBT进行保护显得尤为重要。目前，在使用和设计IGBT的时候，一般所留的余量都较大，但仍无法抵抗来自外界的干扰和自身整机引起的各种失效问题。IGBT失效主要是由集电极和发射极的过压/过流和栅极的过压/过流引起。另外，漏感及引线电感的存在，将导致IGBT集电极过电压，而在器件内部产生擎住效应，使IGBT锁定失效。同时，较高的过电压会使IGBT击穿。

实用新型内容

本实用新型的目的是针对上述问题，提出了一种封装结构。

本实用新型所提出的技术方案如下：

本实用新型提出了一种封装结构，包括IGBT芯片、二极管芯片、基板、第一引脚、第二引脚以及第三引脚；基板与第三引脚电连接，并分别与第一引脚和第二引脚隔离；IGBT芯片和二极管芯片分别焊接在基板上；IGBT芯片的集电极C与二极管芯片的阴极分别与基板电连接；IGBT芯片的发射极E与二极管芯片的阳极分别通过导线与第二引脚的打线区电连接；IGBT芯片的栅极G通过导线与第一引脚的打线区电连接；第三引脚位于第一引脚和第二引脚的同一侧。

本实用新型上述的封装结构中，还包括第四引脚、第五引脚、第六引脚以及用于辅助控制IGBT芯片进行工作的控制集成电路IC；基板分别与第四引脚、第五引脚、第六引脚隔离；控制集成电路IC焊接在第二引脚上，并且控制集成电路IC分别与第一引脚、第四引脚、第五引脚和第六引脚电性连接；第四引脚接外部电路的信号输入端；第五引脚接外部电路的信号输出端；第六引脚接电源端。

本实用新型上述的封装结构中，第四引脚设置在第一引脚和第二引脚之间，第五引脚和第六引脚分别设置在第二引脚和第三引脚之间。

本实用新型上述的封装结构中，还包括用于将IGBT芯片、控制集成电路IC、第一引脚的打线区、第四引脚的打线区、第二引脚的打线区、第五引脚的打线区、第六引脚的打线区封装在一起的塑料封装壳；该塑料封装壳在第六引脚和第三引脚之间的位置上开设有豁口。

本实用新型上述的封装结构中，IGBT芯片与控制集成电路IC不共面。

本实用新型上述的封装结构中，塑料封装壳的两侧分别开设有散热孔。

本实用新型上述的封装结构中，第四引脚包括与第一引脚平行的第一部分、与第一引脚共线的第三部分以及连接第一部分和第三部分的第二部分。

本实用新型的封装结构在IGBT芯片的集电极C和发射极E之间反向并联一二极管芯片，从而给IGBT芯片提供续流通道，防止其被击穿。通过二极管芯片与IGBT芯片的封装还实现IGBT芯片的驱动以及直接测温，增强测温的准确性。同时，还增加控制集成电路IC，以与IGBT芯片配合，从而使IGBT芯片对电器瞬变的敏感性大幅降低。此外，在封装结构中，控制集成电路IC与IGBT芯片隔离设置，从而提高了散热效率。本实用新型的封装结构结构巧妙，实用性强。

附图说明

下面将结合附图及实施例对本实用新型作进一步说明，附图中：

图1示出了本实用新型第一实施例的封装结构的示意图；

图2示出了图1所示的封装结构的另一方向的示意图；

图3示出了本实用新型第二实施例的封装结构的示意图。

具体实施方式