[实用新型]半导体器件有效
| 申请号： | 201621215658.5 | 申请日： | 2016-09-29 |
| 公开（公告）号： | CN206293434U | 公开（公告）日： | 2017-06-30 |
| 发明（设计）人： | A·帕勒亚里;A·米拉尼;L·瓜里诺;F·龙奇 | 申请（专利权）人： | 意法半导体股份有限公司 |
| 主分类号： | H01L23/488 | 分类号： | H01L23/488;H01L21/60 |
| 代理公司： | 北京市金杜律师事务所11256 | 代理人： | 王茂华,董典红 |
| 地址： | 意大利阿格*** | 国省代码： | 暂无信息 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 半导体器件 | ||
1.一种半导体器件，其特征在于，包括：
第一层，具有边缘区域；
金属化结构，具有面向所述第一层的边缘区域而并未接触所述边缘区域的外围部分。
2.根据权利要求1所述的半导体器件，其特征在于，所述金属化结构包括：
金属化结构本体，以及
在所述本体上的外表面涂层，其中所述边缘区域面向所述外围部分而在所述金属化结构本体和所述外表面涂层之间没有接触界面。
3.根据权利要求2所述的半导体器件，其特征在于，进一步包括阻挡层，所述阻挡层在所述金属化结构本体下方并且邻接所述外表面涂层，所述阻挡层和外表面涂层一起完全围绕所述金属化结构本体。
4.根据权利要求2所述的半导体器件，其特征在于，所述第一层包括钝化层以及在所述钝化层上的阻挡层。
5.根据权利要求4所述的半导体器件，其特征在于，所述阻挡层在所述金属化结构本体下方延伸。
6.根据权利要求4所述的半导体器件，其特征在于，所述阻挡层仅在所述边缘区域处在所述钝化层上延伸。
7.根据权利要求4所述的半导体器件，其特征在于：
所述钝化层包括电介质钝化层，和/或
所述阻挡层包括钛钨。
8.根据权利要求1所述的半导体器件，其特征在于，所述金属化结构包括Cu-RDL金属化结构。
9.一种半导体器件，其特征在于，包括：
电介质层；
钝化层，在所述电介质层上，所述钝化层具有边缘区域；
第一金属化结构层，在穿过所述钝化层的过孔中延伸；以及
第二金属化结构层，涂覆所述第一金属化结构层的顶表面并且具有涂覆所述第一金属化结构层的侧表面的外围部分，所述外围部分具有面向所述钝化层的所述边缘区域而并未接触所述边缘区域的端部。
10.根据权利要求9所述的半导体器件，其特征在于，进一步包括阻挡层，所述阻挡层在所述第一金属化结构层下方并且邻接所述第二金属化结构层，所述阻挡层和第二金属化结构层一起完全围绕所述第一金属化结构层。
11.根据权利要求9所述的半导体器件，其特征在于，进一步包括第三金属化结构层，所述第三金属化结构层涂覆所述第二金属化结构层的外表面，所述第三金属化结构层具有涂覆所述第二金属化结构层的所述外围部分的外围部分并且具有面向所述钝化层的所述边缘区域而并未接触所述边缘区域的端部。
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