[实用新型]激光扫描用短脉冲大电流半导体激光器驱动源结构

权利要求书

1.一种激光扫描用短脉冲大电流半导体激光器驱动源结构；其特征在于：包括脉冲信号源、脉冲整形、功率放大、高频开关管、高压电路、储能电容、保护电路、激光二极管及采样电阻；所述脉冲信号源产生频率可调节的方波控制信号，所述方波控制信号经过脉冲整形和电路处理后，所述方波控制信号经过功率放大作为高频开关管的触发控制信号，用于高频开关管快速切换；所述高频开关管处于闭合状态下时，高压电路对激光脉冲回路完成储能功能；充电回路路径包含储能电容、保护电路流至地平面；所述高频开关管处于开启状态下时，激光脉冲回路处于放电功能，放电回路路径从地平面流经采样电阻、激光二极管、储能电容、流经高频开关管返回至地平面，从而通过控制触发控制信号的脉冲宽度、激光脉冲回路的传输参数，产生短脉冲大电流的激光脉冲信号。

2.根据权利要求 1所述的激光扫描用短脉冲大电流半导体激光器驱动源结构，其特征在于：还包括上拉电阻R1、电阻R2、电阻R3、电阻R4和电容C3；所述的脉冲信号源通过调节电阻R2和电阻R3的阻值比值产生频率可调的方波控制信号；所述脉冲整形和电路处理将方波脉冲信号宽度进行窄化处理，并陡化上升沿时间；所述电阻R4和电容C3调节窄化脉冲信号宽度。

3.根据权利要求 1所述的激光扫描用短脉冲大电流半导体激光器驱动源结构，其特征在于：所述脉冲信号源由定时器和外围阻容器件构成；所述功率放大为MOS管驱动器；所述高频开关管为高速场效应晶体管；所述保护电路为肖特基二极管；所述激光二极管为波长为905nm的半导体激光器；所述采样电阻为2512封装的2W的合金电阻并联。