[实用新型]一种继电器触点抗浪涌保护电路有效
| 申请号: | 201621207165.7 | 申请日: | 2016-11-07 |
| 公开(公告)号: | CN206293887U | 公开(公告)日: | 2017-06-30 |
| 发明(设计)人: | 彭伟超 | 申请(专利权)人: | 深圳市沃特玛电池有限公司 |
| 主分类号: | H02H7/22 | 分类号: | H02H7/22 |
| 代理公司: | 深圳市恒申知识产权事务所(普通合伙)44312 | 代理人: | 王利彬 |
| 地址: | 518000 广东省深*** | 国省代码: | 广东;44 |
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| 摘要: | |||
| 搜索关键词: | 一种 继电器 触点 浪涌 保护 电路 | ||
1.一种继电器触点抗浪涌保护电路,其特征在于,包括:光耦器件U1、继电器、MOS管Q1、第一电容C1、第一电阻R1、第二电阻R2和第三电阻R3;
所述光耦器件U1的阳极、阴极接驱动信号Ui的输出端,所述光耦器件U1的发射极接总负功率线,集电极接所述第一电容C1的一端,所述第一电容C1的另一端通过串联的第一电阻R1和第二电阻R2接入总正功率线;所述继电器的线圈接所述驱动信号Ui的输出端,所述继电器的触点K1和所述MOS管Q1并联接入所述总正功率线中,所述MOS管Q1的栅极通过该所述第三电阻R3接入所述第一电阻R1和第二电阻R2之间。
2.如权利要求1所述的继电器触点抗浪涌保护电路,其特征在于,所述抗浪涌保护电路还包括第四电阻R4,所述光耦器件U1的阳极通过所述第四电阻R4接所述驱动信号Ui的输出端。
3.如权利要求2所述的继电器触点抗浪涌保护电路,其特征在于,所述MOS管Q1为P沟道MOS管。
4.如权利要求3所述的继电器触点抗浪涌保护电路,其特征在于,所述抗浪涌保护电路还包括第五电阻R5和第二电容C2,所述第五电阻R5、第二电容C2的一端接所述MOS管Q1的源极,另一端接所述总负功率线。
5.如权利要求4所述的继电器触点抗浪涌保护电路,其特征在于,所述第一电容C1和第二电容C2为钽电容。
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