[实用新型]波前传感器有效
申请号: | 201621197194.X | 申请日: | 2016-11-07 |
公开(公告)号: | CN206223303U | 公开(公告)日: | 2017-06-06 |
发明(设计)人: | 赵娟 | 申请(专利权)人: | 深圳超多维光电子有限公司 |
主分类号: | G01J9/00 | 分类号: | G01J9/00 |
代理公司: | 深圳市凯达知识产权事务所44256 | 代理人: | 刘大弯,沈荣彬 |
地址: | 518053 广东省深圳市*** | 国省代码: | 广东;44 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 传感器 | ||
1.波前传感器,包括微透镜阵列结构、图像传感器和电源电路,所述微透镜阵列结构与所述图像传感器相对设置,所述微透镜阵列结构与所述电源电路连接,其特征在于:所述微透镜阵列结构包括依次相对设置的第一电极、第二电极以及第三电极,所述第一电极与所述第二电极之间设有绝缘层,所述第二电极与所述第三电极之间设有液晶层,当所述第一电极、所述第三电极与所述电源电路连接,所述电源电路提供第一驱动电压,当所述第二电极、所述第三电极与所述电源电路连接,所述电源电路提供第二驱动电压,所述第一驱动电压不同于所述第二驱动电压。
2.如权利要求1所述的波前传感器,其特征在于:所述第一电极上设有阵列排布的第一圆孔,所述第二电极上设有阵列排布的第二圆孔,所述第一圆孔的孔径大于所述第二圆孔的孔径。
3.如权利要求2所述的波前传感器,其特征在于:所述第一圆孔的孔径为a,所述第二圆孔的孔径为b,且a=2b。
4.如权利要求1至3中任一项所述的波前传感器,其特征在于:所述第三电极为面电极。
5.如权利要求4所述的波前传感器,其特征在于:所述微透镜阵列结构还包括相对设置的第一基板与第二基板,所述第一电极设置于所述第一基板上,所述第三电极设置于所述第二基板上,所述第二基板与所述图像传感器之间的距离为所述微透镜阵列结构的焦距f。
6.如权利要求5所述的波前传感器,其特征在于:所述第一电极、所述第三电极分别与所述电源电路连接,所述微透镜阵列结构形成的透镜直径为d1,所述第二电极、所述第三电极分别与所述电源电路连接,所述微透镜阵列结构形成的透镜直径为d2,其中d1>d2。
7.如权利要求6所述的波前传感器,其特征在于:所述图像传感器的像素尺寸为δ,当所述透镜直径为d1,所述图像传感器检测到的波前最小倾角为波前最大倾角为当所述透镜直径为d2,所述图像传感器检测到的波前最小倾角为波前最大倾角为其中
8.如权利要求6所述的波前传感器,其特征在于:所述电源电路包括电压切换子电路,所述电压切换子电路用于将所述第一驱动电压切换为所述第二驱动电压,或将所述第二驱动电压切换为所述第一驱动电压。
9.如权利要求1所述的波前传感器,其特征在于:所述第一电极、所述第二电极以及所述第三电极均为透明ITO电极。
10.如权利要求1所述的波前传感器,其特征在于:所述绝缘层的厚度为h,且50mm≤h≤100mm。
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