[实用新型]一种薄膜晶体管及显示器面板

权利要求书

1.一种薄膜晶体管，其特征在于，包括：衬底和设置在所述衬底上的由金属氧化物构成的有源层；所述有源层与栅极叠层相毗邻，所述有源层部分区域上覆盖有电极，所述电极的厚度大于含氧元素的物质在所述电极中的扩散长度，所述电极与所述有源层之间还包括绝缘层，所述绝缘层在非所述电极覆盖下的部分为第一绝缘层，所述第一绝缘层的厚度小于所述含氧元素的物质在所述第一绝缘层中的扩散长度；所述有源层在所述电极覆盖下的区域分别形成源区和漏区，非所述电极覆盖下的区域形成沟道区；所述源区、所述漏区与所述沟道区相互连接，且分别位于所述沟道区的两端，所述沟道区与所述栅极叠层相毗邻，所述源区、所述漏区与所述沟道区之间的连接面自对准于所述电极在所述有源层投影面积之内的边界的铅垂面；所述源区、所述漏区的电阻率小于所述沟道区的电阻率。

2.根据权利要求1所述的一种薄膜晶体管，其特征在于，所述源区、所述漏区与所述沟道区之间是通过退火形成的所述连接面，该连接面与所述电极在所述有源层投影面积之内的边界的铅垂面的间距小于所述有源层厚度的100倍。

3.根据权利要求1所述的一种薄膜晶体管，其特征在于，所述沟道区与所述源区、所述漏区的电阻率比值大于1000倍。

4.根据权利要求1所述的一种薄膜晶体管，其特征在于，所述电极的厚度为所述含氧元素的物质在所述电极中扩散长度的2至100倍之间。

5.根据权利要求1所述的一种薄膜晶体管，其特征在于，所述有源层的不同区域上方分别覆盖有第二绝缘层和所述第一绝缘层，所述第一绝缘层的厚度为10至3000纳米；所述第二绝缘层为氧化硅或氮氧化硅形成的绝缘层，所述第二绝缘层的厚度为10至3000纳米；所述电极是由钼、铝、铜或钛形成的电极，所述电极的厚度为10至3000纳米。

6.根据权利要求1所述的一种薄膜晶体管，其特征在于，所述栅极叠层设置在所述有源层与所述衬底之间。

7.根据权利要求1所述的一种薄膜晶体管，其特征在于，所述有源层设置在所述栅极叠层和所述衬底之间。

8.根据权利要求7所述的一种薄膜晶体管，其特征在于，所述栅极叠层包括栅极电极和栅极绝缘层，所述栅极电极的厚度小于所述含氧元素的物质在所述栅极电极中的扩散长度，所述栅极绝缘层的厚度小于所述含氧元素的物质在所述栅极绝缘层中的扩散长度。

9.根据权利要求8所述的一种薄膜晶体管，其特征在于，所述栅极电极是由氧化铟锡、氧化铝锌或氧化铟锌形成的电极，所述栅极电极的厚度为10至3000纳米；所述栅极绝缘层是由氧化硅或氮氧化硅形成的绝缘层，所述栅极绝缘层的厚度为10至3000纳米。

10.根据权利要求1所述的一种薄膜晶体管，其特征在于，所述源区、漏区的电阻率小于10欧姆厘米，所述沟道区的电阻率大于10欧姆厘米。

11.一种显示器面板，包括多组显示模块，其特征在于，所述显示模块包含权利要求1至10任一项所述的薄膜晶体管。