[实用新型]一种水冷降温装置有效
申请号: | 201621185631.6 | 申请日: | 2016-11-04 |
公开(公告)号: | CN206207825U | 公开(公告)日: | 2017-05-31 |
发明(设计)人: | 胡新华 | 申请(专利权)人: | 新兴铸管股份有限公司 |
主分类号: | F25D1/02 | 分类号: | F25D1/02 |
代理公司: | 石家庄国为知识产权事务所13120 | 代理人: | 王荣君 |
地址: | 056300 *** | 国省代码: | 河北;13 |
权利要求书: | 查看更多 | 说明书: | 查看更多 |
摘要: | |||
搜索关键词: | 一种 水冷 降温 装置 | ||
技术领域
本实用新型涉及制药、化验技术领域,特别是涉及一种水冷降温装置。
背景技术
在实验室,制样室中常常对实验反应温度有要求,常规的自然降温,风冷等降温手段降温过程慢,效果不理想。
如:在制样室用研缸的使用中,单个试样研磨时间及研缸使用的频率与研缸温度成正比,个别物料的指数如煤的粘结指数G值则会因研磨温度高而导致明显降低。因G值试样的烘干温度为45℃,理论上研磨温度不能超过这个温度。但现在制样室试样较多,为确保研磨温度不超标,制样员只能放置较长时间待研缸温度降至室温后再进行下一个试样的研磨,盛夏季节等待时间更长,严重影响工作效率。
在高含量硅铁中Si的分析采用氟硅酸钾容量法进行检测时,试样用硝酸和氢氟酸溶解,加入硝酸钾溶液生成氟硅酸钾沉淀,经过滤、洗涤游离酸,以沸水溶解沉淀,用NaOH标准液滴定沉淀溶解后游离出的HF,由消耗NaOH标准液的体积(ml)来计算贵的含量。溶样温度控制不好或偏高会使硅铁中的Si生成SiF4气体挥发掉,从而导致Si含量结果偏低。研究证明溶样温度最好控制在15℃以下,温度越高Si的损失量越大,所以应该严格控制溶样的温度。此分析方法受季节温度影响比较明显,尤其在夏季,化验室室内温度都在30℃以上,在这样的条件下,试样溶解前表面温度也有28℃左右,加入硝酸后反应不太明显,当加入氢氟酸后会发生剧烈的放热反应,试样温度会急剧升高,导致部分Si以SiF4气体挥发出去。因此,只有降低、控制好在加入氢氟酸时的反应温度才能确保数据的准确性。
发明内容
本实用新型要解决的技术问题是针对上述现有技术的不足,提供一种水冷降温装置,能提高降温速度和降温效果,使降温过程可控,满足多种实验需求,应用范围广。
为解决上述技术问题,本实用新型所采取的技术方案是:一种水冷降温装置,包括降温箱、进水口、出水口、溢水口和隔板,进水口和出水口位于降温箱的两侧,进水口位于降温箱上部,出水口位于降温箱底部,降温箱内部铺设有隔板,隔板上有若干孔,降温目标物置于隔板上。
具体地,溢水口处有可以沿竖直方向滑动的挡板。
具体地,进水口、出水口和溢水口处设置有阀门。
具体地,隔板下部有可调节高度的支腿。
具体地,降温箱内壁设有用于放置隔板的凸起。
具体地,降温箱内壁是阶梯状,有至少一个台阶。
具体地,降温箱底部是一个斜面,出水口处为斜面最低位置。
具体地,降温箱内壁设置有温度计。
采用上述技术方案所产生的有益效果在于:在实验或制样中能快速获得所需要的特定温度,并随时控制、监测温度值,达到理想的降温效果,更好的完成实验和工作。
附图说明
图1是本实用新型实施例一提供的一种水冷降温装置的剖面示意图;
图2是本实用新型实施例一提供的一种水冷降温装置的隔板俯视图;
图3是本实用新型实施例二提供的一种水冷降温装置的剖面示意图;
图4是图3的A向视图;
图5是本实用新型实施例三提供的一种水冷降温装置的剖面示意图;
图6是本实用新型实施例四提供的一种水冷降温装置的剖面示意图;
图7是本实用新型实施例五提供的一种水冷降温装置的剖面示意图;
图8是本实用新型实施例六提供的一种水冷降温装置的剖面示意图。
图中:1、进水口;2、降温箱;3、水;4、隔板;5、出水口;6、溢水口;7、阀门;8、挡板;9、支腿;10、温度计。
具体实施方式
为了使本发明的目的、技术方案及优点更加清楚明白,以下结合附图及实施例,对本发明进行进一步详细说明。应当理解,此处所描述的具体实施例仅仅用以解释本发明,并不用于限定本发明。
实施例一:
如图1和图2所示,本实用新型实施例提供的一种水冷降温装置,包括降温箱2、进水口1、出水口5、溢水口6和隔板4,进水口1和出水口5位于降温箱2的两侧,进水口1位于降温箱2上部,出水5口位于降温箱2底部,降温箱2内部铺设有隔板4,隔板4上有若干孔,降温目标物放在隔板4上。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息,商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于新兴铸管股份有限公司,未经新兴铸管股份有限公司许可,擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作,请联系【客服】
本文链接:http://www.vipzhuanli.com/pat/books/201621185631.6/2.html,转载请声明来源钻瓜专利网。