[实用新型]一种台面二极管有效

专利信息
申请号: 201621185134.6 申请日: 2016-11-04
公开(公告)号: CN206148437U 公开(公告)日: 2017-05-03
发明(设计)人: 冯春阳;李学良;马晓洁;戴建定;唐毅 申请(专利权)人: 四川洪芯微科技有限公司
主分类号: H01L29/861 分类号: H01L29/861
代理公司: 湖州金卫知识产权代理事务所(普通合伙)33232 代理人: 赵卫康
地址: 629200 四川*** 国省代码: 四川;51
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摘要:
搜索关键词: 一种 台面 二极管
【权利要求书】:

1.一种台面二极管,包括具有主沟槽的台面结构、覆盖在所述主沟槽的表面的钝化层,所述台面结构的PN结至少部分裸露于所述主沟槽的表面;其特征在于:所述台面结构还包括副沟槽,所述副沟槽设于所述主沟槽和所述电极之间,所述钝化层由所述主沟槽的表面延伸至所述副沟槽的表面并且覆盖所述副沟槽的表面。

2.根据权利要求1所述的一种台面二极管,其特征在于:所述副沟槽的深度小于所述主沟槽的深度。

3.根据权利要求1所述的一种台面二极管,其特征在于:所述副沟槽和所述主沟槽之间设有反型沟道阻断部。

4.根据权利要求3所述的一种台面二极管,其特征在于:所述台面结构包括用于形成所述PN结的N区和P区,所述电极包括由所述P区引出的阳极和由所述N区引出的阴极;所述主沟槽和所述副沟槽形成于所述P区。

5.根据权利要求4所述的一种台面二极管,其特征在于:所述P区包括与N区接触的P-区和设于所述P-区顶部的P+区;所述主沟槽和所述副沟槽之间的P+区形成所述反型沟道阻断部,所述副沟槽与所述PN结之间设有隔离部。

6.根据权利要求4所述的一种台面二极管,其特征在于:所述副沟槽的深度小于P+区的厚度。

7.根据权利要求5所述的一种台面二极管,其特征在于:所述N区包括与所述P区接触的N-区,所述N-区的底部设有N+区,所述阴极由所述N+区引出。

8.根据权利要求1所述的一种台面二极管,其特征在于:所述钝化层为玻璃钝化层。

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