[实用新型]一种太阳能电池有效
| 申请号: | 201621177494.1 | 申请日: | 2016-10-27 |
| 公开(公告)号: | CN206532786U | 公开(公告)日: | 2017-09-29 |
| 发明(设计)人: | 邓瑞;孙翔;姜占锋 | 申请(专利权)人: | 惠州比亚迪实业有限公司 |
| 主分类号: | H01L31/0224 | 分类号: | H01L31/0224;H01L31/0296 |
| 代理公司: | 北京润平知识产权代理有限公司11283 | 代理人: | 王崇 |
| 地址: | 516083*** | 国省代码: | 广东;44 |
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| 摘要: | |||
| 搜索关键词: | 一种 太阳能电池 | ||
技术领域
本实用新型涉及一种太阳能电池。
背景技术
现有技术公开了一种太阳能电池的结构为:玻璃片衬底/透明导电膜/CdS/CdTe/背电极。其不足在于,该产品采用金属材料作为背电极,金属电极的导电性比较好但是金属材料基本为带颜色材料,使得金属电极的透过性较差,降低了光电转化效率。
实用新型内容
为解决上述现有技术存在的技术问题,本实用新型提供了一种两面均可吸收太阳光,增加了光通量,有效提高光电转换效率的太阳能电池。
本实用新型提供的一种太阳能电池,其中,包括依次层叠的透明衬底/第一透明电极层/CdS层/CdTe层/第二透明电极层或依次层叠的第一透明电极层/CdS层/CdTe层/第二透明电极层/透明衬底。
优选的,CdTe层和CdS层形成PN结结构。
优选的,透明衬底的厚度为1-5mm。
优选的,第一透明电极层的厚度为10-500n,第二透明电极层的厚度为10-500nm。
优选的,CdS层的厚度为50-500nm。
优选的,CdTe层的厚度为2-10μm。
本实用新型提供的太阳能电池的结构中的任意一种,即将透明电极层分别作为电极、将玻璃片作为基底层进一步采用CdS层作为窗口层、采用CdTe层作为吸收层。这样的设计使得本申请所述太阳能电池的两面均可吸收太阳光,增加了光通量,光通量的增加提高了CdTe层和CdS层的光学吸收率,进一步有效提高光电转换效率的太阳能电池。
应用本实用新型所述的太阳能电池的结构工艺简单,成本低廉,可大规模生产,且本发明可在柔性衬底材料上制作,成品可应用于BIPV上,市场前景广阔。
附图说明
图1为本实用新型实施例1的一种太阳能电池的结构示意图。
图2为本实用新型实施例2的一种太阳能电池的结构示意图。
如图1-图2所示:
1、透明衬底,2、第一透明电极层,3、CdS层,4、CdTe层,5、第二透明电极层。
具体实施方式
为了使本实用新型所解决的技术问题、技术方案及有益效果更加清楚明白,以下结合附图及实施例,对本实用新型进行进一步详细说明。应当理解,此处所描述的具体实施例仅仅用以解释本实用新型,并不用于限定本实用新型。
下面详细描述本实用新型的实施例,所述实施例的示例在附图中示出,其中自始至终相同或类似的标号表示相同或类似的元件或具有相同或类似功能的元件。下面通过参考附图描述的实施例是示例性的,旨在用于解释本实用新型,而不能理解为对本实用新型的限制。
在本实用新型的描述中,需要理解的是,术语“横向”、“长度”、“宽度”、“上”、“下”、“前”、“后”、“左”、“右”、“竖直”、“水平”、“顶”、“底”、“顺时针”、“逆时针”等指示的方位或位置关系为基于附图所示的方位或位置关系,仅是为了便于描述本实用新型和简化描述,而不是指示或暗示所指的装置或元件必须具有特定的方位、以特定的方位构造和操作,因此不能理解为对本实用新型的限制。
此外,术语“第一”、“第二”仅用于描述目的,而不能理解为指示或暗示相对重要性或者隐含指明所指示的技术特征的数量。由此,限定有“第一”、“第二”的特征可以明示或者隐含地包括至少一个该特征。在本实用新型的描述中,“多个”的含义是至少两个,例如两个、三个等,除非另有明确具体的限定。
在本实用新型中,除非另有明确的规定和限定,术语“安装”、“相连”、“连接”、“固定”等术语应做广义理解,例如,可以是固定连接,也可以是可拆卸连接,或成一体;可以是机械连接,也可以是电连接;可以是直接相连,也可以通过中间媒介间接相连,可以是两个元件内部的连通或两个元件的相互作用关系,除非另有明确的限定。对于本领域的普通技术人员而言,可以根据具体情况理解上述术语在本实用新型中的具体含义。
在本实用新型中,除非另有明确的规定和限定,第一特征在第二特征“上”或“下”可以是第一和第二特征直接接触,或第一和第二特征通过中间媒介间接接触。而且,第一特征在第二特征“之上”、“上方”和“上面”可是第一特征在第二特征正上方或斜上方,或仅仅表示第一特征水平高度高于第二特征。第一特征在第二特征“之下”、“下方”和“下面”可以是第一特征在第二特征正下方或斜下方,或仅仅表示第一特征水平高度小于第二特征。
下面结合附图及实施例对本实用新型做进一步描述。
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H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L31-00 对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射,或微粒辐射敏感的,并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的,或者专门适用于通过这样的辐射进行电能控制的半导体器件;专门适用于制造或处理这些半导体器件或其部件的方法或
H01L31-02 .零部件
H01L31-0248 .以其半导体本体为特征的
H01L31-04 .用作转换器件的
H01L31-08 .其中的辐射控制通过该器件的电流的,例如光敏电阻器
H01L31-12 .与如在一个共用衬底内或其上形成的,一个或多个电光源,如场致发光光源在结构上相连的,并与其电光源在电气上或光学上相耦合的





