[实用新型]一种开关电源的浪涌抑制电路

说明书

[技术领域]

本实用新型涉及开关电源，尤其涉及一种开关电源的浪涌抑制电路。

[背景技术]

开关电源目前在往高功率密度方向发展，体积小，效率高。对可靠性要求也越来越高，当开关电源开机时，原边储能的大电解电容其特性近似处于短路状态，阻值近似为0.从而开机瞬间主回路会产生一个几十上百安培的开机浪涌电流。一般情况下开机浪涌电流采用负温度系数热敏电阻限制，但这种情况下会使电源效率降低。而且在热机状态下，浪涌电流也会随热敏电阻温度的升高而变大，从而使电路的元器件得不到有效的保护；常见的解决办法是使用继电器与功率电阻等器件组合，刚开机时，浪涌电流流过功率电阻，电源正常工作后继电器闭合，把功率电阻短路，这种电路成本高，效率低，继电器噪声和寿命也受到限制。

[发明内容]

本实用新型要解决的技术问题是提供一种结构简单，成本低，效率高的开关电源的浪涌抑制电路。

为了解决上述技术问题，本实用新型采用的技术方案是，一种开关电源的浪涌抑制电路，包括热敏电阻、开关管、储能电容、泄放电阻和二极管；开关电源包括直流输入电源，直流输入电源包括整流器和滤波电容，热敏电阻串接在整流器输出端的正极与滤波电容的正极之间，开关管与热敏电阻并联；储能电容的一端接开关管的控制极，另一端接滤波电容的正极，泄放电阻与储能电容并联；二极管的阴极接开关管的控制极，阳极接开关管后方的驱动点，所述驱动点的电平高于滤波电容正极的电位。

以上所述的浪涌抑制电路，所述的开关电源为LLC拓扑结构，包括上开关管、下开关管和开关管驱动电路；二极管的阳极接开关管驱动电路的驱动信号输出端。

以上所述的浪涌抑制电路，所述的开关电源为反激拓扑结构，包括变压器、第二开关管和RCD箝位电路，RCD箝位电路包括第二二极管，第二电容和第三电阻，变压器原边绕组的第一端接滤波电容的正极，第二端通过第二开关管接地；第二二极管的阳极接变压器原边绕组的第二端，阴极通过第二电容接变压器原边绕组的第一端，第三电阻与第二电容并联；二极管的阳极接第二二极管的阴极。

本实用新型结构简单，成本低，既可抑制浪涌电流，又能短路热敏电阻提高开关电源效率。

[附图说明]

下面结合附图和具体实施方式对本实用新型作进一步详细的说明。

图1是本实用新型实施例解开关电源的浪涌抑制电路的原理图。

图2是本实用新型实施例2开关电源的浪涌抑制电路在LLC拓扑结构上应用的原理图。

图3是本实用新型实施例3开关电源的浪涌抑制电路在反激拓扑上应用的原理图。

[具体实施方式]

本实用新型实施例解开关电源的浪涌抑制电路的原理如图1所示，包括热敏电阻RT1、MOS管Q1、储能电容C1、泄放电阻R1和高压二极管D1。开关电源包括直流输入电源，直流输入电源包括整流桥BD1和滤波大电解电容EC1。

热敏电阻RT1串接在整流桥BD1输出端正极与滤波大电解电容EC1的正极V0之间，MOS管Q1与热敏电阻RT1并联。储能电容C1的一端接MOS管Q1的栅极，另一端接滤波大电解电容EC1的正极V0，泄放电阻R1与储能电容C1并联。高压二极管D1的阴极通过电阻R2接MOS管Q1的栅极，阳极接MOS管Q1后方电路驱动点的驱动电压，驱动点的电平V1要高出滤波大电解电容EC1工作时正极的电位10V。

驱动电压V1通过高压二极管D1和电阻R2驱动MOS管Q1，电容C1使驱动电平保持多个周期为高，MOS管Q1一直保持导通状态，主回路电流流经MOS管Q1，电阻R1连接到MOS管Q1的基极和源极之间，当开关电源关机时，MOS管Q1上栅极电压通过电阻R1快速放掉，使MOS管Q1关断。本实用新型实施例运用电路的本身特点结构，选取驱动电压，电路简单实用。

本实用新型实施例2开关电源的浪涌抑制电路在LLC拓扑结构上应用的原理如图2所示，热敏电阻RT1串接在整流桥BD1输出端正极与滤波大电解电容EC1的正极V0之间，MOS管Q1与热敏电阻RT1并联。储能电容C1的一端接MOS管Q1的栅极，另一端接滤波大电解电容EC1的正极V0，泄放电阻R1与储能电容C1并联。

开关电源为LLC拓扑结构，包括上MOS管Q4、下MOS管Q3和MOS管的驱动芯片。高压二极管D1的阳极接MOS管驱动芯片上MOS管Q4的驱动信号输出端。