[实用新型]一种低极间漏磁的永磁电机转子有效

专利信息
申请号: 201621171293.0 申请日: 2016-10-26
公开(公告)号: CN206135671U 公开(公告)日: 2017-04-26
发明(设计)人: 沈哲;张鹏;官志峰;李中耀;黄昌成 申请(专利权)人: 深圳市正宇电动汽车技术有限公司
主分类号: H02K21/02 分类号: H02K21/02;H02K1/27
代理公司: 深圳市科吉华烽知识产权事务所(普通合伙)44248 代理人: 罗志伟
地址: 518000 广东省深圳市龙*** 国省代码: 广东;44
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摘要:
搜索关键词: 一种 低极间漏磁 永磁 电机 转子
【说明书】:

技术领域

本实用新型涉及电机,尤其涉及一种低极间漏磁的永磁电机转子。

背景技术

目前,交流伺服和汽车驱动系统领域,广泛采用永磁同步电机作为动力单元,随着行业的发展,动力单元调速范围的要求越来越高,从而要求电机调速范围越来越宽,内置式转子结构已经成为主流方案之一。现有内置式转子方案普遍存在漏磁系数大的问题,从而使得磁铁的利用率降低,成本升高。

发明内容

为了解决现有技术中的问题,本实用新型提供了一种低极间漏磁的永磁电机转子。

本实用新型提供了一种低极间漏磁的永磁电机转子,包括铁芯,所述铁芯包括第一转子冲片和第二转子冲片,所述第一转子冲片的磁极之间设有加强筋和隔磁桥,所述第二转子冲片的磁极之间设有缺口,所述第一转子冲片和第二转子冲片交替层叠设置。

作为本实用新型的进一步改进,所述第二转子冲片的磁极之间不设置加强筋和隔磁桥。

作为本实用新型的进一步改进,所述第二转子冲片位于二个所述第一转子冲片之间。

作为本实用新型的进一步改进,所述第一转子冲片上设有多个沿其周向间隔设置的第一磁铁,所述加强筋和隔磁桥位于相邻的所述第一磁铁的磁极之间。

作为本实用新型的进一步改进,所述第二转子冲片上设有多个沿其周向间隔设置的第二磁铁,相邻的所述第二磁铁的磁极之间为所述缺口。

本实用新型的有益效果是:通过上述方案,第一转子冲片采用传统结构,而第二转子冲片采用新设计结构,通过缺口来取代加强筋和隔磁桥,第一转子冲片和第二转子冲片交替层叠设置,第一转子冲片同样存在极间漏磁,但是,第二转子冲片则不存在极间漏磁,可以大幅减少漏磁。

附图说明

图1是本实用新型一种低极间漏磁的永磁电机转子的结构示意图。

图2是本实用新型一种低极间漏磁的永磁电机转子的第一转子冲片的结构示意图。

图3是本实用新型一种低极间漏磁的永磁电机转子的第二转子冲片的结构示意图。

具体实施方式

下面结合附图说明及具体实施方式对本实用新型进一步说明。

如图1至图3所示,一种低极间漏磁的永磁电机转子,所述永磁电机转子为内置式结构,包括铁芯,所述铁芯包括第一转子冲片1和第二转子冲片2,所述第一转子冲片1的磁极之间设有加强筋13和隔磁桥14,所述第二转子冲片2的磁极之间设有缺口22,所述第一转子冲片1和第二转子冲片2交替层叠设置。

如图1至图3所示,所述第二转子冲片2的磁极之间不设置加强筋和隔磁桥。

如图1至图3所示,所述第二转子冲片2位于二个所述第一转子冲片1之间。

如图1至图3所示,所述第一转子冲片1上设有多个沿其周向间隔设置的第一磁铁11和磁铁孔12,所述加强筋13和隔磁桥14位于相邻的所述第一磁铁11的磁极之间。

如图1至图3所示,所述第二转子冲片2上设有多个沿其周向间隔设置的第二磁铁21,相邻的所述第二磁铁21的磁极之间为所述缺口22。

如图1至图3所示,第一磁铁11和第二磁铁21是一段完整磁铁对应不同冲片的不同部分,在结构上第一磁铁11和第二磁铁21是一体的。

本实用新型提供的一种低极间漏磁的永磁电机转子,第一转子冲片1为传统结构,磁极间仍然保留隔磁桥14和加强筋13,承担固定和保护磁铁的作用,所以这部分冲片同样存在极间漏磁;第二转子冲片2为创新设计的转子冲片结构,去掉了加强筋和隔磁桥,磁铁紧贴在其表面,不承担固定和保护磁铁的作用,而这部分冲片上的磁极间漏磁磁路是空气,漏磁大幅减少,为低漏磁转子结构。

本实用新型提供的一种低极间漏磁的永磁电机转子,通过将第一转子冲片1和第二转子冲片2以一定叠厚比例的形式交替排列组合形成完整的转子铁心,这样,既最大限度保护磁铁的安全,又降低了转子的极间漏磁。另外,可根据电机转速高低对转子冲片强度要求,和电机损耗平衡的要求,调节第一转子冲片1和第二转子冲片2两种冲片结构的叠厚比例。和普通结构转子铁心相比,本实用新型提供的转子铁心结构兼顾了可靠性同时又大大减少了极间漏磁,提高了磁铁的利用率,降低了材料成本,提高了磁铁利用率,提升了电机功率密度。

以上内容是结合具体的优选实施方式对本实用新型所作的进一步详细说明,不能认定本实用新型的具体实施只局限于这些说明。对于本实用新型所属技术领域的普通技术人员来说,在不脱离本实用新型构思的前提下,还可以做出若干简单推演或替换,都应当视为属于本实用新型的保护范围。

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