[实用新型]太阳能电池正面电极栅线结构有效

专利信息
申请号: 201621170967.5 申请日: 2016-10-26
公开(公告)号: CN206148441U 公开(公告)日: 2017-05-03
发明(设计)人: 刘军保;吴翔;屈小勇;王举亮;郭永刚 申请(专利权)人: 国家电投集团西安太阳能电力有限公司
主分类号: H01L31/0224 分类号: H01L31/0224
代理公司: 上海硕力知识产权代理事务所31251 代理人: 郭桂峰
地址: 710100 陕西*** 国省代码: 陕西;61
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摘要:
搜索关键词: 太阳能电池 正面 电极 结构
【说明书】:

技术领域

实用新型涉及太阳能电池领域,特别涉及一种太阳能电池正面电极栅线结构。

背景技术

随着太阳能成为日益可行的清洁能源,为了提高其市场竞争力,不断提高太阳能电池转换效率。然而,目前研发出的各类高效电池大多需要增加新设备、新工序等,使生产成本增加,并且技术门槛高,难以实现大规模量产。因此,研究如何在现有工艺基础上提升电池效率、降低生产成本成为现阶段最佳途径。

从晶体硅太阳能电池电极栅线结构设计方面来看,采用传统丝网印刷技术很难在高方块电阻表面获得较低的接触电阻,要提高电池转换效率,就要增加金属栅线面积以降低串联电阻,但这会使栅线的遮蔽面积增加。然而现在许多网版厂家在实验无网结网版(0度织网),会使显著降低印刷栅线宽度5-10um,高度均匀性好。但是在印刷方面有点问题,图形边框在刮刀下刀位和收刀位容易出现虚印和线粗,当栅线宽度越窄时容易出现断线,这些问题厂家也有解决方案,但效果都不是很理想。所以需要能够匹配无网结网版的栅线结构。

实用新型内容

针对现有技术的不足,本实用新型提出了一种太阳能电池正面电极栅线结构,改善电池硅片细栅线防EL断栅,去掉边框,缩短电极栅线结构的边缘到硅片边缘的距离,优化电池外观,避免由于丝网印刷的本身特性和浆料特性导致栅线加粗及断线的不良片产生。

为解决上述技术问题,本实用新型提供如下技术方案:

一种太阳能电池正面电极栅线结构,由若干根主栅线和若干根细栅线组成,其中,所述若干根主栅线相互平行地纵向设置,所述细栅线包括与所述主栅线垂直设置的横向细栅线及连接所述横向细栅线且与所述主栅线方向平行的纵向间断细栅线。

优选的,在上述的太阳能电池正面电极栅线结构中,所述横向细栅线的数量为100至200根。

优选的,在上述的太阳能电池正面电极栅线结构中,所述间断细栅线的数量为11根。

优选的,在上述的太阳能电池正面电极栅线结构中,所述横向细栅线及所述间断细栅线的宽度为20至40μm。

优选的,在上述的太阳能电池正面电极栅线结构中,所述正面栅线网版的边缘到所述电池硅片的边缘距离为0.5至1mm。

优选的,在上述的太阳能电池正面电极栅线结构中,所述太阳能电池为单晶硅电池硅片。

优选的,在上述的太阳能电池正面电极栅线结构中,所述单晶硅电池硅片的长度为160mm,宽度为160mm。

优选的,在上述的太阳能电池正面电极栅线结构中,所述主栅线的数量为4根,以硅片中心为中心对称分布,所述4根主栅线的间距为40mm。

优选的,在上述的太阳能电池正面电极栅线结构中,所述主栅线宽度为1.0mm,所述横向细栅线数量为106根,所述横向细栅线的宽度为26um。

优选的,在上述的太阳能电池正面电极栅线结构中,所述正面栅线结构的边缘到所述单晶硅电池硅片的边缘距离为0.8mm。

附图说明

图1为本实用新型实施例的太阳能电池正面电极栅线结构示意图;

图中:100-正面电极栅线结构、101-主栅线、102-横向细栅线、103-间断细栅线

具体实施方式

以下结合附图和具体实施例对本实用新型提出的太阳能电池正面电极栅线结构作进一步详细说明。根据下面说明和权利要求书,本实用新型的优点和特征将更清楚。需说明的是,附图均采用非常简化的形式且均使用非精准的比例,仅用以方便、明晰地辅助说明本实用新型实施例的目的。

请参阅图1,本实施例公开了一种太阳能电池正面电极栅线结构100,由若干根主栅线101和若干根细栅线组成,其中,所述若干根主栅线101相互平行地纵向设置,所述细栅线包括与所述主栅线垂直设置的横向细栅线102及连接所述横向细栅线且与所述主栅线方向平行的纵向间断细栅线103。

在上述实施例中,所述横向细栅线102的数量为100至200根。

在上述实施例中,所述间断细栅线103的数量为11根。

在上述实施例中,所述横向细栅线102及所述间断细栅线103宽度为20至40μm。

在上述实施例中,所述正面栅线网版的边缘到所述电池硅片的边缘距离为0.5至1mm。

在上述实施例中,所述太阳能电池为单晶硅电池硅片。

在上述实施例中,所述单晶硅电池硅片的长度为160mm,宽度为160mm。

在上述实施例中,所述主栅线101的数量为4根,以硅片中心为中心对称分布,所述4根主栅线101的间距为40mm。

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