[实用新型]一种利用真空罐加速抽真空的装置

说明书

技术领域

本实用新型涉及抽真空的技术，具体涉及到反应离子刻蚀装置中的真空抽取的技术领域。

背景技术

在半导体器件的制造过程中广泛地使用等离子体处理装置。反应离子刻蚀是一种各向异性很强、选择性高的干法刻蚀技术，它是在真空系统中利用由等离子体强化后的反应离子气体轰击目标材料，通过物理轰击和化学反应来达到刻蚀的目的。

因此，在反应离子刻蚀装置进行刻蚀时，需要对反应离子刻蚀装置中的腔室抽真空，而目前为了能够提高反应离子刻蚀效率，通常采用大功率的真空泵或者增加真空泵的数量来加速空气的抽取，以尽快形成真空环境。而采用大功率的真空泵或者增加真空泵的数量以加快抽真空的速度都会使得成本增加。

发明内容

1、本实用新型所要解决的技术问题

针对现有技术中利用大功率的真空泵抽取真空或者增加真空泵的数量以加快抽真空的速度都将会导致成本增加的问题，本实用新型提出一种在不妨碍真空抽取效率的情况下减小抽真空所用成本的技术方案。

2、本实用新型的所采用的技术方案

本实用新型提供了在采用小功率真空泵的情形下，加快真空抽取速度的装置和方法，其具体的技术方案如下：

一种利用真空罐加速抽真空的装置

所述装置包括真空泵1、第一管道4、第一阀门5和第二阀门6；待抽真空腔室2通过第一管道4连通真空泵2，真空泵可以直接抽取待抽真空腔室2内的气体，使带抽真空腔室2达到真空状态。

利用真空罐加速抽真空的装置设有真空罐3，所述真空罐3通过第二管道7分别连通待抽真空腔室2与真空泵1，第二管道7一端连接真空罐3，另一端通过三通与第一管道4连接；真空罐3既通过第一管道4和第二管道7连通待抽真空腔室2，又通过第一管道4和第二管道7连通真空泵1。

第一阀门5设置在第二管道7上，第一阀门5用以控制真空罐3与其它装置联通；所述第二阀门6设置在待抽真空腔室2与真空罐3之间的第一管道4上。

优选的技术方案，采用的真空泵1为小功率真空泵。

优选的技术方案，采用的真空罐为1个或者多个。

基于上述的利用真空罐加速抽真空的装置的利用真空罐加速抽真空的方法，所述步骤如下：

a.待抽真空腔室2需要抽取真空时，打开第一阀门5和第二阀门6，利用真空罐3抽取待抽真空腔室2中的气体；

b.待抽真空腔室2与真空罐3的压力达到平衡后，待抽真空腔室2与真空罐3的压力不均衡，气体自由膨胀，由待抽真空腔室2向真空罐3流动，直至二者压力达到平衡；关掉第一阀门5；

c.保持第二阀门6打开，真空泵1抽取待抽真空腔室2中剩余的气体，使待抽真空腔室2迅速达到真空环境。

在待抽真空腔室2不需要抽取真空时，可以先利用真空泵1将真空罐3内的气体抽出，使真空罐3保持真空状态，在后续的工作中随时可用真空罐3来抽取带抽真空腔室2内的气体，具体的方法是打开第一阀门5、关闭第二阀门6，利用真空泵1抽取真空罐3内的气体，将真空罐3抽成真空。

进一步的技术方案，真空罐3内的气体既可以通过真空泵1抽取，也可以通过其他的抽真空设备来抽取。

3、采用本实用新型提供的技术方案，与已有的公知技术相比，具有如下显著效果：

本实用新型通过设置一个真空罐，先利用气体的自由膨胀原理，将腔体内部的气体分子数量迅速减小，之后再使用真空泵抽取剩余空气，从而缩短腔体抽真空的所需时间,提高设备产能，提高了生产效率、降低了成本。

附图说明

图1是本实用新型专利的一种利用真空罐加速抽真空的装置示意图。

图中附图标记对应的零件为：1真空泵，2腔室，3真空罐，4第一管道，5第一阀门，6第二阀门，7第二管道。

具体实施方式

下面结合说明书附图和具体的实施例，对本实用新型作详细描述。

利用真空罐加速抽真空的装置，本实施例中的技术方案采用了一个真空罐。

利用真空罐加速抽真空的装置包括真空泵1、第一管道4、第一阀门5和第二阀门6；待抽真空腔室2通过第一管道4连通真空泵2，真空泵可以直接抽取待抽真空腔室2内的气体，使带抽真空腔室2达到真空状态。

利用真空罐加速抽真空的装置设有真空罐3，所述真空罐3通过第二管道7分别连通待抽真空腔室2与真空泵1，第二管道7一端连接真空罐3，另一端通过三通(图中未示出)与第一管道4连接；真空罐3既通过第一管道4和第二管道7连通待抽真空腔室2，又通过第一管道4和第二管道7连通真空泵1。