[实用新型]一种新型高集成度T/R组件有效
申请号: | 201621153659.1 | 申请日: | 2016-10-31 |
公开(公告)号: | CN206117648U | 公开(公告)日: | 2017-04-19 |
发明(设计)人: | 曹磊 | 申请(专利权)人: | 成都锐芯盛通电子科技有限公司 |
主分类号: | H04B1/38 | 分类号: | H04B1/38 |
代理公司: | 成都众恒智合专利代理事务所(普通合伙)51239 | 代理人: | 刘华平 |
地址: | 610000 四川省*** | 国省代码: | 四川;51 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 一种 新型 集成度 组件 | ||
1.一种新型高集成度T/R组件,其特征在于,由两个8通道模块对接组合而成,所述8通道模块包括用于安置器件的腔体,安装于腔体内的射频PCB板,在射频PCB板正面方向与之平行地固定安装于腔体上的盖板,在射频PCB板背面方向与之平行地安置于腔体内的并与射频PCB板电性连接的低频PCB板,设置于射频PCB板上的射频微波电路,分别设置于腔体侧面并均与射频微波电路连接的天线射频接口和馈电网络射频接口,以及设置于低频PCB板上的电源转换电路和时序控制电路,其中,所述盖板和低频PCB板与腔体构成气密性封装。
2.根据权利要求1所述的一种新型高集成度T/R组件,其特征在于,所述两个8通道模块中一个设有与时序控制电路连接的TR控制接口,用于外接控制信号,另一个设有与电源转换电路连接的TR电源接口,用于外接电源;所述TR控制接口和TR电源接口均安置于腔体侧面。
3.根据权利要求2所述的一种新型高集成度T/R组件,其特征在于,所述射频微波电路包括均设置射频PCB板上且安置于同一水平面的并通过金丝焊接依次连接的TR驱动芯片、射频电路、移相器芯片、功放芯片、低噪放芯片和环形器,其中,由TR驱动芯片通过馈电网络射频接口接入两路信号,并由环形器通过天线射频接口输出8路信号。
4.根据权利要求3所述的一种新型高集成度T/R组件,其特征在于,所述射频PCB板和低频PCB板通过板件连接器连通。
5.根据权利要求4所述的一种新型高集成度T/R组件,其特征在于,所述射频PCB板上还设有负责控制和供电的幅相控制芯片。
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