[实用新型]基板处理装置有效
申请号: | 201621144660.8 | 申请日: | 2016-10-20 |
公开(公告)号: | CN206259321U | 公开(公告)日: | 2017-06-16 |
发明(设计)人: | 朴炯信;李气雨;金美池 | 申请(专利权)人: | K.C.科技股份有限公司 |
主分类号: | H01L21/67 | 分类号: | H01L21/67;G02F1/133 |
代理公司: | 北京冠和权律师事务所11399 | 代理人: | 朱健,陈国军 |
地址: | 韩国京畿*** | 国省代码: | 暂无信息 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 处理 装置 | ||
1.一种基板处理装置,所述基板处理装置处理对于被处理基板的药液涂敷工艺,其特征在于,包括:
基板移送部,其沿着预先设定的移送路径来移送基板,并且设置有向上下贯通于所述基板的移送路径中间的贯通区域;
药液涂敷喷嘴,其配置于所述基板移送部的上部,并且将药液涂敷于所述基板的上面;
清洗单元,其通过所述贯通区域对所述药液涂敷喷嘴的喷嘴边缘进行清洗。
2.根据权利要求1所述的基板处理装置,其特征在于,
所述清洗单元以接触的形式对所述喷嘴边缘进行清洗。
3.根据权利要求2所述的基板处理装置,其特征在于,所述清洗单元包括:
移送导向部,其沿着与所述基板被移送的方向呈垂直的方向得到配置;
清洗部件,其形成为接触于所述喷嘴边缘,并且随着所述移送导向部进行直线移动,并清除残留于所述喷嘴边缘的所述药液。
4.根据权利要求3所述的基板处理装置,其特征在于,
所述清洗部件是弹性体。
5.根据权利要求1所述的基板处理装置,其特征在于,包括:
移动部,所述移动部使得所述清洗单元沿着向上方向移动,以便所述清洗单元移动至清洗所述喷嘴边缘的清洗位置以及从所述喷嘴边缘隔开的等待位置。
6.根据权利要求5所述的基板处理装置,其特征在于,
在所述药液被涂敷于所述基板的上面期间,所述清洗单元配置于所述等待位置,
若完成所述药液的涂敷,则所述清洗单元移动至所述清洗位置。
7.根据权利要求6所述的基板处理装置,其特征在于,
所述清洗单元在所述等待位置以与所述基板移送部的下部隔开的形式配置,
配置于所述等待位置的所述清洗单元从下部向上部穿过所述贯通区域,并移动至所述清洗位置。
8.根据权利要求5所述的基板处理装置,其特征在于,
所述清洗单元从所述等待位置向所述清洗位置移动期间,保持所述药液涂敷喷嘴的高度一定。
9.根据权利要求1所述的基板处理装置,其特征在于,
所述贯通区域沿着与所述基板被移送的方向呈垂直的方向连续地形成。
10.根据权利要求1所述的基板处理装置,其特征在于,
所述基板移送部将所述基板以悬浮于空中的状态进行移送。
11.根据权利要求10所述的基板处理装置,其特征在于,
所述基板移送部利用通过超声波而产生的振动能量来将所述基板以悬浮的状态进行移送。
12.根据权利要求11所述的基板处理装置,其特征在于,所述基板移送部包括:
第一振动板,其配置于所述基板的移送路径,并且通过由超声波而产生的振动能量来使得所述基板悬浮;
第二振动板,其配置为沿着所述基板被移送的方向从所述第一振动板隔开,并且通过由超声波而产生的振动能量来使得所述基板悬浮,
所述贯通区域形成于所述第一振动板与所述第二振动板之间。
13.根据权利要求12所述的基板处理装置,其特征在于,
所述第一振动板与所述第二振动板形成为沿着所述基板被移送的方向进行相对移动,
所述贯通区域若所述第一振动板与所述第二振动板相互隔开,则形成于所述第一振动板与所述第二振动板之间。
14.根据权利要求13所述的基板处理装置,其特征在于,
所述第一振动板形成为可沿着所述基板被移送的方向与所述第二振动板接近以及隔开。
15.根据权利要求13所述的基板处理装置,其特征在于,
所述第二振动板形成为可沿着所述基板被移送的方向与所述第一振动板接近以及隔开。
16.根据权利要求13所述的基板处理装置,其特征在于,
所述第一振动板形成为可沿着所述基板被移送的方向与所述第二振动板接近以及隔开,
所述第二振动板形成为可沿着所述基板被移送的方向与所述第一振动板接近以及隔开。
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H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置;专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理;集成电路器件或其特殊部件的制造