[实用新型]一种新型太阳能多晶硅片有效
申请号: | 201621142402.6 | 申请日: | 2016-10-20 |
公开(公告)号: | CN206134696U | 公开(公告)日: | 2017-04-26 |
发明(设计)人: | 史志平 | 申请(专利权)人: | 常州晶昀新能源有限公司 |
主分类号: | H01L31/048 | 分类号: | H01L31/048;H01L31/0236 |
代理公司: | 温州市品创专利商标代理事务所(普通合伙)33247 | 代理人: | 程春生 |
地址: | 213000 江苏省常州市*** | 国省代码: | 江苏;32 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 一种 新型 太阳能 多晶 硅片 | ||
技术领域
本实用新型涉及光伏发电技术领域,尤其涉及一种新型太阳能多晶硅片。
背景技术
已知随着全球经济的不断发展,能源消耗不断急剧增大,其中对于化石燃料使用在增大,从而导致资源的日渐减少,而且造成了大量二氧化碳气体的排放,因此现在社会和政府越来越重视可再生能源的开发与利用,特别是光伏发电的开发利用,其中的多晶硅太阳能电池兼具单晶硅电池的高转换效率和长寿面以及非晶硅薄膜电池的材料制备工艺,然而现有的多晶硅太阳能电池存在转换效率不高,易碎等缺点,而且其结构较复杂,不利于生产与制造,从而加大了成本的投入,不适合大面积的推广。
实用新型内容
针对现有技术的不足,本实用新型提供了一种新型太阳能多晶硅片。
为了实现上述目的,本实用新型所采取的技术方案是:
一种新型太阳能多晶硅片,包括本体,本体由多硅晶片构成,本体上表面设置有一腐蚀制绒成的绒面,绒面上间隔分布有凹槽,凹槽中安装有玻璃面板,多硅晶片之间的间隔距离为6mm~7mm,多硅晶片之间通过基板相互连接,基板的长度与凹槽中玻璃面板的长度相一致,本体下表面涂覆有一氮化硅层,本体四周设置有顺丁橡胶层,顺丁橡胶层将本体、绒面和氮化硅层四周包覆住,顺丁橡胶层外表面设置有绝缘保护膜层,通过绝缘保护膜层有利于方便人们的安全使用,也有利于延长其设备的使用寿命。
所述本体的厚度为180μm~200μm。
所述氮化硅层的厚度为100μm。
所述多硅晶片之间的间隔距离为6.5mm。
所述基板为白色反光层或银色反光层,提高了发射率。
本实用新型的有益效果:本实用新型本体上表面设置有一腐蚀制绒成的绒面,绒面上间隔分布有凹槽,凹槽中安装有玻璃面板,多硅晶片之间的间隔距离为6mm~7mm,多硅晶片之间通过基板相互连接,基板的长度与凹槽中玻璃面板的长度相一致,本体下表面涂覆有一氮化硅层,一方面多硅晶片之间的基板上太阳能能够反射到绒面凹槽的玻璃面板中,玻璃面板将部分阳光再经过反射到多硅晶片上,从而增加了多硅晶片的上光强度,提高了光电转转化率,另一方面绒面和氮化硅层也提高了转化率;本体四周设置有顺丁橡胶层,顺丁橡胶层将本体、绒面和氮化硅层四周包覆住,降低了其在运输过程中的破损情况。
附图说明
图1为本实用新型的结构示意图。
具体实施方式
如图1所示,一种新型太阳能多晶硅片,包括本体,本体由多硅晶片1构成,所述本体的厚度为180μm~200μm,本体上表面设置有一腐蚀制绒成的绒面2,绒面2上间隔分布有凹槽21,凹槽21中安装有玻璃面板22,多硅晶片1之间的间隔距离为6mm~7mm,所述多硅晶片1之间的间隔距离为6.5mm,多硅晶片1之间通过基板1相互连接,基板12的长度与凹槽21中玻璃面板22的长度相一致,所述基板12为白色反光层或银色反光层,提高了发射率,本体1下表面涂覆有一氮化硅层3,所述氮化硅层3的厚度为100μm,本体四周设置有顺丁橡胶层4,顺丁橡胶层4将本体1、绒面2和氮化硅层3四周包覆住,顺丁橡胶层4外表面设置有绝缘保护膜层5,通过绝缘保护膜层5有利于方便人们的安全使用,也有利于延长其设备的使用寿命。
本实用新型在使用的过程中由于本体上表面设置有一腐蚀制绒成的绒面2,绒面2上间隔分布有凹槽21,凹槽21中安装有玻璃面板22,阳光部分被照射到多硅晶片1之间的基板11上,由于基板11为白色反光层或银色反光层,从而提高了发射到多晶硅片1上的阳光,从而提高了光电转化率,再加上本体上表面设置有绒面2,本体下表面设置有氮化硅层3,也有利于提高转化率,从而使得太阳能多晶硅片1的光电转化率得到大大的提高,同时在本体四周包覆有顺丁橡胶层4,顺丁橡胶层4外表面设有绝缘保护膜层5,从而大大提高了其使用寿命。
本实用新型的有益效果:本实用新型本体上表面设置有一腐蚀制绒成的绒面,绒面上间隔分布有凹槽,凹槽中安装有玻璃面板,多硅晶片之间的间隔距离为6mm~7mm,多硅晶片之间通过基板相互连接,基板的长度与凹槽中玻璃面板的长度相一致,本体下表面涂覆有一氮化硅层,一方面多硅晶片之间的基板上太阳能能够反射到绒面凹槽的玻璃面板中,玻璃面板将部分阳光再经过反射到多硅晶片上,从而增加了多硅晶片的上光强度,提高了光电转转化率,另一方面绒面和氮化硅层也提高了转化率;本体四周设置有顺丁橡胶层,顺丁橡胶层将本体、绒面和氮化硅层四周包覆住,降低了其在运输过程中的破损情况。
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H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L31-00 对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射,或微粒辐射敏感的,并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的,或者专门适用于通过这样的辐射进行电能控制的半导体器件;专门适用于制造或处理这些半导体器件或其部件的方法或
H01L31-02 .零部件
H01L31-0248 .以其半导体本体为特征的
H01L31-04 .用作转换器件的
H01L31-08 .其中的辐射控制通过该器件的电流的,例如光敏电阻器
H01L31-12 .与如在一个共用衬底内或其上形成的,一个或多个电光源,如场致发光光源在结构上相连的,并与其电光源在电气上或光学上相耦合的