[实用新型]一种磁体成型磁场监测充磁装置有效

专利信息
申请号: 201621139601.1 申请日: 2016-10-20
公开(公告)号: CN206116132U 公开(公告)日: 2017-04-19
发明(设计)人: 韦立立;戴峤笠;毛宗富;黄国光;翁苗飞;梁宗锡;邱立新 申请(专利权)人: 宁波鑫丰磁业有限公司
主分类号: H01F13/00 分类号: H01F13/00;G01R33/07
代理公司: 宁波市鄞州盛飞专利代理事务所(普通合伙)33243 代理人: 朱如松
地址: 315194 浙江省宁*** 国省代码: 浙江;33
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摘要:
搜索关键词: 一种 磁体 成型 磁场 监测 充磁 装置
【权利要求书】:

1.一种磁体成型磁场监测充磁装置,包括充磁磁头,充磁磁头提供用于磁体充磁的磁化磁场,其特征在于,

所述磁体成型磁场监测充磁装置还包括霍尔元件以及显示控制器,所述霍尔元件检测磁化磁场并向显示控制器输出测量信号,所述显示控制器接收测量信号并显示;

所述霍尔元件具有至少一个,并且设置与充磁磁头上。

2.根据权利要求1所述的磁体成型磁场监测充磁装置,其特征在于,充磁磁头上的霍尔元件具有至少两个时,每一个霍尔元件各自独立互不影响地运行以检测磁化磁场以及向显示控制器输出测量信号。

3.根据权利要求1或2所述的磁体成型磁场监测充磁装置,其特征在于,所述充磁磁场为匀强磁场时:

若充磁磁头上的霍尔元件为一个时,其设置在充磁磁头的磁化磁场侧的部分上的中心位置;

若充磁磁头上的霍尔元件具有至少两个时,其设置在充磁磁头的磁化磁场侧的部分上均匀分布。

4.根据权利要求1或2所述的磁体成型磁场监测充磁装置,其特征在于,所述充磁磁场为非匀强磁场时:

若充磁磁头上的霍尔元件为一个时,其设置在充磁磁头的磁化磁场侧的部分上的中心位置;

若充磁磁头上的霍尔元件具有至少两个时,其设置在充磁磁头的磁化磁场侧的部分上不均匀分布,沿着充磁磁头间磁场方向进行观察,霍尔元件在垂直于磁场方向的平面内的分布状态为:霍尔元件在磁场强度高的部分的分布密度高于在磁场强度低的部分的分布密度。

5.根据权利要求4所述的磁体成型磁场监测充磁装置,其特征在于,所述所述充磁磁场为非匀强磁场且充磁磁头上的霍尔元件具有至少两个时,沿着充磁磁头间磁场方向进行观察,霍尔元件在垂直于磁场方向的平面内的分布状态为:霍尔元件在磁场强度高的部分的分布密度为在磁场强度低的部分的分布密度的两倍以上。

6.根据权利要求5所述的磁体成型磁场监测充磁装置,其特征在于,所述霍尔元件设置在充磁磁头表面。

7.根据权利要求6所述的磁体成型磁场监测充磁装置,其特征在于,所述霍尔元件外设置有石英窗。

8.根据权利要求7所述的磁体成型磁场监测充磁装置,其特征在于,所述石英窗外层设置有紧密排列的硬质薄片。

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