[实用新型]脉冲神经电路有效
| 申请号: | 201621133450.9 | 申请日: | 2016-10-18 |
| 公开(公告)号: | CN206282337U | 公开(公告)日: | 2017-06-27 |
| 发明(设计)人: | 张金勇;刘晨光;孙宏伟;王磊 | 申请(专利权)人: | 中国科学院深圳先进技术研究院 |
| 主分类号: | G06N3/063 | 分类号: | G06N3/063 |
| 代理公司: | 北京三友知识产权代理有限公司11127 | 代理人: | 王天尧 |
| 地址: | 518055 广东省深圳*** | 国省代码: | 广东;44 |
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| 摘要: | |||
| 搜索关键词: | 脉冲 神经 电路 | ||
技术领域
本实用新型涉及人工神经网络技术领域,尤其涉及脉冲神经电路。
背景技术
在人工神经网络领域,脉冲神经网络的模拟与实现在近年来引起了人们的广泛关注。针对生理上神经脉冲的主要特征,人们提出了许多不同的模型来进行拟合,如I&F模型、Izhikevich模型和H-H模型等等,而Izhikevich模型由于能更高效、更简单地实现精确的神经脉冲的模拟,成为了最常用的模型之一。在神经系统的实现方面,VLSI可利用电子元件和电路来模拟神经行为,成为了计算神经科学的一种主要实现方式。这其中,模拟集成电路由于具有更高效、更低功耗等优势,成为了脉冲神经电路设计的主流。为更好地实现Izhikevich模型的脉冲神经电路设计,人们提出了一种分段线性化的Izhikevich模型,分段线性的改进可以使Izhikevich模型的实现电路更加简单、准确。
所谓分段线性化的Izhikevich模型,是指采用分段描述来替代Izhikevich模型中的平方项,其表达式为:
当ν≥vth时,
其中,ν表示膜电位,u表示膜恢复电位,I表示输入电流,k1、k2、k3、a、b为常数;vth为膜电位阈值,当膜电位超过膜电位阈值,则ν和u被重新赋值;c、d为常数,选择不同的c、d值可得到不同模式的神经脉冲模式。
目前Izhikevich模型的脉冲神经电路主要实现方案有:(1)采用MOS管饱和区的平方特性来模拟Izhikevich模型的表达式。参见文献Jayawan H B Wijekoon,Piotr Dudek.Compact silicon neuron circuit with spiking and bursting behavior.Neural Netw[J].Neural Networks,2008,21(2-3):524-34。(2)采用tau-cell结构以全电流信号的方式模拟Izhikevich模型的表达式。参见文献Van Schaik A,Jin C T,McEwan A L,et al.A log-domain implementation of the Izhikevich neuron model[C].ISCAS.2010:4253-4256。(3)采用CCII和二极管组合的方式实现分段线性化的Izhikevich模型。参见文献Sharifipoor O,Ahmadi A.An analog implementation of biologically plausible neurons using CCII building blocks[J].Neural Networks the Official Journal of the International Neural Network Society,2012,36C(8):129-135。
上述实现方案的问题在于:如上述方案(1)采用饱和区工作的MOS管会消耗较大的电源电压,使得功耗较大,很难构成大规模神经网络;此外,MOS管饱和区尽管能够出现平方项,但该方案下构成的电路所实现的表达式与Izhikevich模型的表达式仍有很大差别。方案(2)中全电流形式构成的电路是将Izhikevich模型中的变量全部转换为电流,只是满足了转换后的数学表达式中的关系,然而实际的神经脉冲是由离子电流的注入而引起的变化的膜电位,也即Izhikevich模型所要模拟的是电压与电流之间的转化关系;此外该电路中用到了很多的偏置电流,会增加电路实现的难度。方案(3)采用CCII和二极管组合的方式实现分段线性化的Izhikevich模型,实现理论简单,但由于采用了二极管,该电路难以集成;同时,为保证CCII电路正常工作采用双电源供电,供电方式复杂且电源电压较高。
实用新型内容
本实用新型实施例提供一种脉冲神经电路,用以使电路实现更简单,提高电路集成度,并在低电压低功耗条件下更好的模拟分段线性化Izhikevich模型,该脉冲神经电路包括脉冲产生电路和膜电位重赋值电路;
脉冲产生电路,通过运算跨导放大器,与运算跨导放大器连接的电流绝对值电路、电流镜、用于模拟膜电位的第一电容Cv和用于模拟膜恢复电位的第二电容Cu,被构造为用于模拟神经脉冲振荡;
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