[实用新型]一种应用于MOCVD机台腔室的组件

说明书

技术领域

本实用新型属于半导体加工设备领域，尤其涉及一种应用于MOCVD机台腔室的组件。

背景技术

在半导体工业中，现行氮化镓发光二极体的量产机台是以Aixtron与Veeco的机型为主。而Aixtron机台其中之一的机型腔室设计包括多个晶圆承载盘，多个不同形状的遮挡板围绕于晶圆承载盘四周或其上方。目前，所有遮挡板均采用表面平整的结构，但此结构在生长过程中较易产生大量的颗粒落尘，这是因为生长过程中，反应源不仅在晶圆衬底表面形成外延层，同时在遮挡板表面亦形成覆盖物，而由于遮挡板的材料与衬底材料差异，使得遮挡板表面的覆盖物与遮挡板之间的附着力较弱，从而导致生长过程中因温度变化及气流作用而易掉落至晶圆表面造成晶圆表面脏污，影响晶圆的表面良率。现有工艺中虽可通过程序工艺进行一定程度的改良，但仍无法有效减少或避免此脏污。

发明内容

针对上述问题，本实用新型提出了一种应用于MOCVD机台腔室的组件，旨在解决因遮挡板表面的覆盖物与遮挡板之间的附着力较弱，从而导致生长过程中因温度变化及气流作用而易掉落至晶圆表面造成晶圆表面脏污的异常。

本实用新型解决上述问题的技术方案为：

在其一实施例中，一种应用于MOCVD机台腔室的组件，包括多个遮挡板和若干个晶圆承载盘，所述遮挡板包括围绕于晶圆承载盘周围并与晶圆承载盘位于同一水平面的第一结构和位于晶圆承载盘上方的第二结构，其特征在于：所述遮挡板第一结构上表面为经过粗化处理的粗糙结构，所述粗糙结构在连续变化范围内最高点与最低点的差值大于0.01微米，以防止生产过程中遮挡板上沉积物因附着不紧密而掉落至晶圆承载盘所容纳晶圆的表面。

优选的，所述遮挡板第二结构为环形，所述第二结构面向晶圆承载盘的表面为经过粗化处理的粗糙结构。

优选的，所述第一结构表面的粗糙结构数量为均匀分布或由临近于所述晶圆承载盘一端向远离晶圆承载盘一端依次递减。

优选的，所述第二结构面向晶圆承载盘表面的粗糙结构数量沿环形结构边缘向环形结构中心依次递减。

优选的，所述粗糙结构为不规则结构或者为周期性或非周期性规则排列的图形结构。

优选的，所述不规则结构的粗糙度Ra范围为：0.01～1000微米。

优选的，所述图形结构底部直径范围为：0.5～1000微米。

优选的，相邻的所述图形结构间距范围为：0.5～1000微米。

优选的，所述图形结构为多面体锥形或蒙古包型。

优选的，所述第一结构的形状为扇形、多边形或不规则形。

本实用新型至少具有以下有益效果：

本实用新型提出一种应用于MOCVD机台腔室的组件，包括多个遮挡板和若干个晶圆承载盘，所述遮挡板包括围绕于晶圆承载盘周围并与晶圆承载盘位于同一水平面的第一结构和位于晶圆承载盘上方的第二结构，其中，所述遮挡板第一结构上表面或者第二结构面向晶圆承载盘的表面为经过粗化处理的粗糙结构，所述粗糙结构在连续变化范围内最高点与最低点的差值大于0.01微米。实验表明当遮挡板表面粗糙度较大时，其对于生长过程中附着物的吸附力较大，减少甚至避免遮挡板上表面的附着物在生长过程中因温度变化及气流作用而掉落至晶圆表面造成晶圆表面脏污的异常。

此外本实用新型还可使粗糙结构为凹凸结构的图形，利用图形增加遮挡板上表面的粗糙度，同时增加遮挡板上表面的比表面积，亦增加其对附着物的吸附能力，实现上述效果。

附图说明

附图用来提供对本实用新型的进一步理解，并且构成说明书的一部分，与本实用新型的实施例一起用于解释本实用新型，并不构成对本实用新型的限制。此外，附图数据是描述概要，不是按比例绘制。

图1为本实用新型之各组件之间相对位置的关系示意图。

图2为本实用新型之第一结构与晶圆承载盘结构示意图。

图3为本实用新型实施例一之第一遮挡板表面粗糙度与位置的关系示意图。

图4为本实用新型实施例一之第二遮挡板表面粗糙度与位置的关系示意图。

图5为本实用新型实施例二之第一遮挡板表面粗糙度与位置的关系示意图。

图6为本实用新型实施例二之第一遮挡板表面粗糙度与位置的关系示意图二。

图7为本实用新型实施例三之第二结构示意图。

具体实施方式

下面结合附图和实施例对本实用新型的具体实施方式进行详细说明。

实施例1