[实用新型]一种射频解冻装置

说明书

技术领域

本实用新型涉及射频技术领域，具体而言，涉及一种射频解冻装置。

背景技术

使用解冻装置对被解冻物品进行解冻时，射频源的输出射频功率是在标准50Ω阻抗的负载下输出的，而解冻器件的阻抗与50Ω相差很多，射频源与解冻器件直接相连接时，有很大一部分功率会反射至射频源，导致实际在解冻器件中的平行板电容器上的功率很小，此外反射功率太大会导致射频源的工作状态发生变化，甚至损毁射频源。

实用新型内容

本实用新型的目的在于提供一种射频解冻装置，通过设置射频源、射频匹配器、解冻器件和控制装置，使射频源产生的射频信号的能量能够最大限度的传输到射频解冻器件中用于对被解冻物品进行解冻，解冻器件的反射信号功率达到最小，起到保护射频源的作用。

本实用新型提供的一种射频解冻装置，包括：射频源、射频匹配器、解冻器件和控制装置。

所述射频源与所述射频匹配器的输入端连接，所述射频匹配器的输出端与所述解冻器件连接，所述射频源和射频匹配器分别与所述控制装置连接。

所述射频源用于产生射频信号并通过所述射频匹配器将所述射频信号发送至所述解冻器件。所述控制装置用于接收所述射频源产生的射频信号的功率信息和所述解冻器件中的反射信号的功率信息，并根据所述射频信号的功率信息和反射信号的功率信息向所述射频匹配器发送控制信号。所述射频匹配器用于根据所述控制信号进行阻抗匹配。

所述射频源、解冻器件和控制装置设置于一壳体内。

可选的，在上述射频解冻装置中，所述射频解冻装置还包括用于显示和接收信息的人机交互装置，所述人机交互装置与所述控制装置连接，所述人机交互装置设置于所述壳体表面。

可选的，在上述射频解冻装置中，所述壳体包括第一容纳腔室和第二容纳腔室，所述解冻器件设置于所述第一容纳腔室，所述射频源、射频匹配器和控制装置设置于所述第二容纳腔室。

可选的，在上述射频解冻装置中，所述第一容纳腔室和第二容纳腔室通过一通孔连通，所述射频匹配器与所述解冻器件通过穿过所述通孔的线缆连接。

可选的，在上述射频解冻装置中，所述射频源包括锁相频率源、第一放大器、相位调整电路、第二放大器、功率放大器和同轴连接器。

所述锁相频率源与所述第一放大器的输入端连接，所述相位调整电路连接于所述第一放大器的输出端与所述第二放大器的输入端之间，所述第二放大器的输出端与所述功率放大器的输入端连接，所述功率放大器的输出端与所述同轴连接器连接，所述相位调整电路、第二放大器和功率放大器分别与所述控制装置连接。

所述锁相频率源用于产生第一信号，并将所述第一信号传送至所述第一放大器；所述第一放大器用于放大所述第一信号后产生第二信号，并将所述第二信号传送至所述相位调整电路；所述相位调整电路用于调整所述第二信号的相位后产生第三信号，并将所述第三信号传送至所述第二放大器；所述第二放大器用于放大所述第三信号，并将所述放大后的第三信号传送至所述功率放大器，所述功率放大器用于再次放大所述放大后的第三信号后产生所述射频信号并通过所述同轴连接器输出。

可选的，在上述射频解冻装置中，所述锁相频率源、第一放大器、相位调整电路、第二放大器和功率放大器封装于一盒体内，所述同轴连接器设置于所述盒体上。

可选的，在上述射频解冻装置中，所述解冻器件包括绝缘腔、箱体和平行板电容器，所述绝缘腔设置于所述箱体的内部，所述箱体包括上底面和下底面，所述平行板电容器包括第一极板和第二极板，所述第一极板设置于所述上底面与所述绝缘腔之间，所述第二极板设置于所述绝缘腔与所述下底面之间，所述绝缘腔用于放置被解冻物品，所述第一极板与所述射频匹配器的输出端连接，所述第二极板接地。

可选的，在上述射频解冻装置中，所述第一极板的一侧面贴合于所述上底面、另一侧面贴合于所述绝缘腔，所述第二极板的一侧面贴合于所述下底面、另一侧面贴合于所述绝缘腔。

可选的，在上述射频解冻装置中，所述箱体由金属材料制成,所述第一极板与所述上底面之间设置有绝缘层，所述第二极板与所述下底面之间设置有绝缘层。

可选的，在上述射频解冻装置中，所述射频匹配器包括电感、第一可调电容和第二可调电容，所述第一可调电容一端与地连接、另一端与所述电感的一端连接，所述电感的另一端与所述第二可调电容的一端连接，所述第二可调电容的另一端与地连接，所述控制装置与所述第一可调电容和所述第二可调电容分别连接，所述射频源与所述第一可调电容并联，所述解冻器件与所述第二可调电容并联。