[实用新型]一种多用的钨丝结构压电薄膜传感器

权利要求书

1.一种多用的钨丝结构压电薄膜传感器，其特征在于：包括压电复合薄膜(1)；所述压电复合薄膜(1)的有效部分的上表面涂覆有上电极层(2)，所述上电极层(2)的外表面设置有上叠合钨丝(3)；所述有效部分的下表面涂覆有下电极层(4)，所述下电极层(4)的外表面设置有下叠合钨丝(9)；所述压电复合薄膜(1)的引出部分的上表面局部涂覆有上引出电极(7)，所述上引出电极(7)与所述上电极层(2)不连通；所述引出部分的下表面局部涂覆有下引出电极(8)，所述下引出电极(8)与所述下电极层(4)不连通；所述上引出电极(7)与一端子(5)相接触，所述下引出电极(8)与另一个端子(5)相接触，两个所述端子(5)分别连接有向外延伸的引线；所述上叠合钨丝(3)的一端与所述上引出电极(7)连接，所述下叠合钨丝(9)的一端与所述下引出电极(8)连接。

2.根据权利要求1所述的一种多用的钨丝结构压电薄膜传感器，其特征在于：所述压电复合薄膜(1)采用PVDF和压电陶瓷颗粒(14)制成。

3.根据权利要求2所述的一种多用的钨丝结构压电薄膜传感器，其特征在于：所述压电复合薄膜(1)为碳纳米管改性压电复合薄膜。

4.根据权利要求1所述的一种多用的钨丝结构压电薄膜传感器，其特征在于：所述上电极层(2)、所述下电极层(4)、所述上引出电极(7)及所述下引出电极(8)均采用单组份导电银浆制成。

5.根据权利要求1所述的一种多用的钨丝结构压电薄膜传感器，其特征在于：所述端子(5)采用空心铆钉(51)与黄铜焊片(52)制成，所述空心铆钉(51)与所述压电复合薄膜(1)穿透连接。

6.根据权利要求1所述的一种多用的钨丝结构压电薄膜传感器，其特征在于：钨丝结构压电薄膜传感器外层设有封装保护层(10)。

7.根据权利要求6所述的一种多用的钨丝结构压电薄膜传感器，其特征在于：所述封装保护层(10)为塑料屏蔽膜。

8.根据权利要求1～7任一项所述的一种多用的钨丝结构压电薄膜传感器，其特征在于：所述上叠合钨丝(3)为由一根钨丝折叠而成的双层结构，下层钨丝粘接于所述上电极层(2)的外表面，所述上叠合钨丝(3)的上下层钨丝之间涂覆有绝缘漆，上层钨丝的一端延伸至与所述上引出电极(7)相连接；

所述下叠合钨丝(9)也为由一根钨丝折叠而成的双层结构，上层钨丝粘接于所述下电极层(4)的外表面，所述下叠合钨丝上下层钨丝之间涂覆有绝缘漆，下层钨丝的一端延伸至与所述下引出电极(8)相连接。

9.根据权利要求8所述的一种多用的钨丝结构压电薄膜传感器，其特征在于：所述上电极层(2)及所述下电极层(4)外表面通过焊泥与钨丝粘接。

10.根据权利要求8所述的一种多用的钨丝结构压电薄膜传感器，其特征在于：所述上叠合钨丝(3)及所述下叠合钨丝(9)的每层钨丝均可呈曲线或直线排布。