[实用新型]过压保护电路有效
| 申请号: | 201621101632.8 | 申请日: | 2016-09-30 | 
| 公开(公告)号: | CN206211499U | 公开(公告)日: | 2017-05-31 | 
| 发明(设计)人: | 杨靖;刘柳;梅当民 | 申请(专利权)人: | 英特格灵芯片(天津)有限公司 | 
| 主分类号: | H02H3/20 | 分类号: | H02H3/20;H02H9/04 | 
| 代理公司: | 北京亿腾知识产权代理事务所11309 | 代理人: | 陈霁 | 
| 地址: | 300457 天津市滨海新区天津开发*** | 国省代码: | 天津;12 | 
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| 摘要: | |||
| 搜索关键词: | 保护 电路 | ||
1.一种过压保护电路,其特征在于,包括:分压模块(101)、信号切换模块(102)和比较模块(103);
所述分压模块(101)包括至N个用于对待检测信号进行分压的分压单元,每个所述分压单元的输出值包括目标过压检测电压、第一迟滞电压和第二迟滞电压,所述分压模块(101)根据第一控制信号从N个目标过压检测电压中获取并输出目标过压检测电压;其中,N为正整数;
所述信号切换模块(102)用于根据所述比较模块(103)输出的反馈信号,从所述目标过压检测电压和所述第一迟滞电压中之一选择输出至所述比较模块(103);
所述比较模块(103)用于对所述信号切换模块(102)的输出电压和基准电压进行比较,输出所述反馈信号和过压保护信号。
2.根据权利要求1所述的电路,其特征在于,所述过压保护电路还包括选通模块(104);
所述选通模块(104)包括两个输入端,所述两个输入端分别输入所述第一迟滞电压和所述第二迟滞电压,所述选通模块(104)根据第二控制信号从所述第一迟滞电压和所述第二迟滞电压中选择之一输出至所述信号切换模块(102);
所述信号切换模块(102)用于根据所述比较模块(103)输出的反馈信号,从所述目标过压检测电压和所述选通模块的输出电压中之一选择输出至所述比较模块(103)。
3.根据权利要求1所述的电路,其特征在于,所述N个分压单元的一个分压单元包括:第一电阻(R1)、第二电阻(R2)、第三电阻(R3)第四电阻(R4)和第一晶体管(N1);
所述第一电阻(R1)的一端是所述分压模块(101)的输入端;所述第一电阻(R1)的另一端与所述第二电阻(R2)的一端的连接点是所述分压模块(101)的目标过压检测电压的输出端;所述第二电阻(R2)的另一端与所述第三电阻(R3)的一端的连接点是所述分压模块(101)的第一迟滞电压的输出端;所述第三电阻(R3)的另一端与所述第四电阻(R4)的一端的连接点是所述分压模块(101)的第二迟滞电压的输出端;所述第四电阻(R4)的另一端与第一晶体管(N1)的漏极连接,所述第一晶体管(N1)的源极与地连接,所述第一晶体管(N1)的栅极与所述第一控制信号连接。
4.根据权利要求2所述的电路,其特征在于,所述选通模块(104)包括:第一PMOS晶体管(P1)、第二PMOS晶体管(P2)、第三NMOS晶体管(N3)、第四NMOS晶体管(N4)、第五NMOS晶体管(N5)和第六NMOS晶体管(N6);
当所述第四NMOS晶体管(N4)处于导通时、所述第一POMS晶体管(P1)和所述第三NMOS晶体管(N3)导通,所述第二POMS晶体管(P2)、所述第五NMOS晶体管(N5)和所述第六NMOS晶体管(N6)截止,使所述选通模块(104)输出所述第一迟滞电压;
当所述第六NMOS晶体管(N6)处于导通、所述第二POMS晶体管(P2)和所述第五NMOS晶体管(N5)导通,所述第一POMS晶体管(P1)、所述第三NMOS晶体管(N3)和第四NMOS晶体管(N4)截止,使所述选通模块(104)输出所述第二迟滞电压。
5.根据权利要求4所述的电路,其特征在于,所述信号切换模块(102)包括:第一选通开关(K1)和第二选通开关(K2);
当所述比较模块(103)的所述反馈信号为1时,所述第一选通开关(K1)导通,所述第二选通开关(K2)截止,所述信号切换模块(102)输出所述目标过压检测电压;
当所述比较模块(103)的所述反馈信号为0时,所述第一选通开关(K1)截止,所述第二选通开关(K2)导通,所述信号切换模块(102)输出所述第一迟滞电压或所述第二迟滞电压是根据所述选通模块(104)的输出确定。
6.根据权利要求5所述的电路,其特征在于,所述电路还包括第二控制模块(106);
当所述过压保护电路为工作模式时,为所述比较模块(103)提供所述基准电压;
当所述过压保护电路为测试模式时,为所述比较模块(103)快速切换所述基准电压,加快所述比较模块(103)的响应速度。
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