[实用新型]触控基板及触控装置有效

专利信息
申请号: 201621098845.X 申请日: 2016-09-30
公开(公告)号: CN206301316U 公开(公告)日: 2017-07-04
发明(设计)人: 范文金;张雷;郭总杰;刘洋;吕奎 申请(专利权)人: 合肥鑫晟光电科技有限公司;京东方科技集团股份有限公司
主分类号: G06F3/044 分类号: G06F3/044
代理公司: 北京市中咨律师事务所11247 代理人: 张亚非,李峥
地址: 230012 *** 国省代码: 安徽;34
权利要求书: 查看更多 说明书: 查看更多
摘要:
搜索关键词: 触控基板 装置
【说明书】:

技术领域

实用新型的实施例涉及触控技术领域,具体涉及一种触控基板消影检测方法、触控基板制造方法、触控基板以及触控装置。

背景技术

目前,电容触控屏已成为很普遍的电子产品,OGS(One Glass Solution,单玻璃触控)成为其中一种主流技术方案。OGS是指在触控屏的保护玻璃上直接形成ITO(indium tin oxide,氧化铟锡)导电膜及传感器的一种技术。在OGS触控屏的可视区域有由ITO形成的通道图案,ITO通道图案的可见程度(在专业术语中称为消影等级)关乎着用户的使用感受,因此需要在触控屏的制造过程中对其消影等级进行检测。目前对于OGS触控屏的消影等级的检测方法为:生产至小片产品时,采用目视检测判级。此种检测方法有两个弊端:1)不能对制程中的消影不良产品进行及时拦截和改善,从而造成不必要的生产损失;2)目视检测判级误差较大,不能准确地进行消影等级判定。在诸如On-cell等其他触控屏技术中也存在着类似的问题。

可见,本领域中需要一种能够克服现有技术的上述缺点的改进的消影检测技术方案。

实用新型内容

在一个方面,提供了一种触控基板,包括:位于其触控区域之外的区域中的具有不同结构的测试块,其中,所述具有不同结构的测试块中的每个测试块包括与触控区域中的不同结构分别相同的结构。

在另一个方面,提供了一种触控装置,其包括根据本实用新型的任何一个实施例所述的触控基板。

根据本实用新型的实施例的技术方案能够在触控基板的制造过程中及时地对触控基板的消影等级进行检测,及时地对消影不良产品进行拦截,避免了不必要的生产损失;此外,由于可以采用光学测试设备进行消影检测,因而能够更为准确地进行消影等级判定;再者,在一些实施例中,由于所述至少两个测试块可以在对应的叠层结构形成的同时形成,不需要增加额外的工艺步骤,因此是一种简单和低成本的技术方案。

附图说明

图1示出了单个OGS触控基板的内部触控可视区域;

图2示出了根据本实用新型的实施例的一种触控基板消影检测过程;

图3示意性地示出了触控基板的制造过程;

图4示出了根据本实用新型的第一类实施例的至少两个测试块的设置;以及

图5示出了根据本实用新型的第二类实施例的至少两个测试块的设置。

具体实施方式

为使本领域的技术人员更好地理解本实用新型的解决方案,下面结合附图对本实用新型的具体实施例所提供的触控基板消影检测过程、触控基板以及触控装置作进一步详细描述。显然,所描述和图示的实施例及其中的各种具体特征仅是对本实用新型的示例性说明,而不是对本实用新型的限制。基于所述示例性说明,本领域普通技术人员在无需创造性劳动的前提下所获得的所有其他实施例及其具体特征,都属于本实用新型保护的范围。

现参照图1,其示出了单个OGS触控基板的内部触控可视区域。如图1中所示,所述内部触控可视区域包括如下三种不同的叠层结构区域:区域1、区域2、以及区域3。其中,区域1可包括由导电的ITO材料构成的ITO导通块,其用作触控电极;区域2可包括ITO蚀刻线,其将相邻的ITO导通块分割开;区域3为桥点区域,其通过金属或ITO材料的桥状结构将相对的两个ITO导通块相连接。区域1、2、3对光的反射率存在差异,如果这三个区域的反射率差异大,则消影等级差。由于ITO蚀刻线很窄,通常只有30-300μm,ITO桥点一般也只有100μm,因此很难通过光学测试设备来测试消影等级,目前大多通过人眼判断。

现参照图2,其示出了根据本实用新型的实施例的一种触控基板消影检测过程。如图2中所示,该过程包括以下步骤:

在步骤201,使用光学测试设备测试位于触控基板的触控区域之外的区域中的至少两个测试块的光反射率的差异;

在步骤202,根据所测试的所述至少两个测试块的光反射率的差异,判定所述触控基板的消影效果,其中,所述具有不同结构的测试块中的每个测试块包括与触控区域中的不同结构分别相同的结构。

下载完整专利技术内容需要扣除积分,VIP会员可以免费下载。

该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息,商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于合肥鑫晟光电科技有限公司;京东方科技集团股份有限公司,未经合肥鑫晟光电科技有限公司;京东方科技集团股份有限公司许可,擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作,请联系【客服

本文链接:http://www.vipzhuanli.com/pat/books/201621098845.X/2.html,转载请声明来源钻瓜专利网。

×

专利文献下载

说明:

1、专利原文基于中国国家知识产权局专利说明书;

2、支持发明专利 、实用新型专利、外观设计专利(升级中);

3、专利数据每周两次同步更新,支持Adobe PDF格式;

4、内容包括专利技术的结构示意图流程工艺图技术构造图

5、已全新升级为极速版,下载速度显著提升!欢迎使用!

请您登陆后,进行下载,点击【登陆】 【注册】

关于我们 寻求报道 投稿须知 广告合作 版权声明 网站地图 友情链接 企业标识 联系我们

钻瓜专利网在线咨询

周一至周五 9:00-18:00

咨询在线客服咨询在线客服
tel code back_top