[实用新型]一种超低待机功耗升压电路带充电灭所有功能电路

说明书

技术领域

本实用新型属于升压电路控制技术领域，更具体地说，是涉及一种超低待机功耗升压电路带充电灭所有功能电路。

背景技术

升压电路由于电路自身结构原因，待机功耗(表现为待机漏电流)一般相对较大。因为是升压，输出端微小的电流就要求输入端需提供较大的电流，因而漏电流会相对较大。如何让升压电路在负载不工作时漏电流尽可能少，这就对设计提出一个重大的挑战。

实用新型内容

本实用新型的目的是提供一种使用稳定性好且适用性强的超低待机功耗升压电路带充电灭所有功能电路，旨在解决传统技术中升压电路在负载不工作时漏电流较大的技术不足。

本实用新型提供了一种超低待机功耗升压电路带充电灭所有功能电路，包括充电模块、与所述充电模块相连接的升压电路模块、与所述升压电路模块相连接的MOS管电路模块、与所述MOS管电路模块相连接的第一双路推制式开关和第二双路推制式开关、与所述第二双路推制式开关相连接的LED接口端子、与所述第一双路推制式开关相连接的负载电路、与所述第一双路推制式开关和第二双路推制式开关相连接的功耗模块，还设有与所述功耗模块相连接的功耗控制电路、在所述充电模块与MOS管电路模块之间还设有充电信号控制电路。

所述充电模块上设有正极输出端子、负极输出端子和充电信号输出端子，所述充电模块的正极输出端子、负极输出端子与升压电路模块相连接，所述充电信号控制电路包括第一三极管、第二三极管、第一电阻、第二电阻、第三电阻、第四电阻和第五电阻，所述第一三极管的基极通过第一电阻连接在充电模块的充电信号输出端子上，所述第一三极管的发射极接地，所述第一三极管的集电极通过第二电阻连接在第二三极管的基极上，所述第二三极管的发射极连接在充电模块的充电信号输出端子上，所述第二三极管的集电极通过第三电阻连接在MOS管电路模块上，所述第四电阻连接在第一三极管的基极与地线之间，所述第五电阻连接在第二三极管的集电极与地线之间。

所述功耗控制电路包括第三三极管、第四三极管、第六电阻、第七电阻、第八电阻、第九电阻、第一单向二极管、第二单向二极管、第三单向二极管、控制开关和第四单向二极管，所述第三三极管的集电极通过第一单向二极管、第二单向二极管的并联电路后连接在功耗模块的正极上，所述第三三极管的基极通过第六电阻连接在第四三极管的集电极上，所述第三三极管的发射极连接在MOS管电路模块与第一双路推制式开关的连接点上，所述第七电阻连接在第三三极管的发射极与基极之间，所述第四三极管的发射极与功耗模块的负极上，所述第四三极管的基极通过第八电阻、控制开关串联电路后连接在第一双路推制式开关和第二双路推制式开关的引脚上，所述第九电阻连接在第四三极管的基极与发射极之间，所述第三单向二极管的正极连接在第八电阻与控制开关的连接点上，第三单向二极管的负极与升压电路模块上，所述第四单向二极管的正极连接在第一双路推制式开关和第二双路推制式开关的引脚上，所述第四单向二极管的负极与第三单向二极管的负极相连接。

所述升压电路模块的主芯片型号为9908，所述第三单向二极管的负极连接在9908芯片的第三引脚上，在9908芯片的第三引脚与地线之间设有第十电阻。

所述MOS管电路模块为4435ASMOS管，所述第一三极管和第四三极管为NPN型三极管，所述第二三极管和第三三极管为PNP型三极管。

本实用新型的有益效果在于：本实用新型的电路结构合理，其在负载不工作时通过功耗控制电路可有效的实现超低待机功耗，解决了传统技术中升压电路在负载不工作时漏电流较大的技术不足，使用稳定性好且适用性强。

附图说明

图1为本实用新型实施例提供的电路结构示意图。

具体实施方式

为了使本实用新型所要解决的技术问题、技术方案及有益效果更加清楚明白，以下结合附图及实施例，对本实用新型进行进一步详细说明。应当理解，此处所描述的具体实施例仅仅用以解释本实用新型，并不用于限定本实用新型。