[实用新型]成像像素

权利要求书

1.一种成像像素，其特征在于包括：

上衬底层；

下衬底层；

浮动扩散区；

所述上衬底层中耦接到所述浮动扩散区的光电二极管；

插入所述上衬底层和所述下衬底层之间的互连层，所述互连层将所述上衬底层耦接到所述下衬底层；以及

所述下衬底层中的第一存储电容器。

2.根据权利要求1所述的成像像素，其特征在于还包括：

耦接到所述浮动扩散区的源极跟随器晶体管；

另一个浮动扩散区；

耦接到所述另一个浮动扩散区的另一个源极跟随器晶体管；以及

耦接在所述源极跟随器晶体管和所述另一个浮动扩散区之间的采样晶体管。

3.根据权利要求2所述的成像像素，其特征在于所述互连层插入所述源极跟随器晶体管和所述采样晶体管之间。

4.根据权利要求3所述的成像像素，其特征在于所述浮动扩散区和所述源极跟随器晶体管在所述上衬底层中形成，并且其中所述采样晶体管、所述另一个浮动扩散区和所述另一个源极跟随器晶体管在所述下衬底层中形成。

5.根据权利要求4所述的成像像素，其特征在于还包括：

在所述下衬底层中形成的第二存储电容器和第三存储电容器。

6.根据权利要求1所述的成像像素，其特征在于还包括：

在所述下衬底层中形成的耦接到所述浮动扩散区的源极跟随器晶体管，其中所述浮动扩散区在所述上衬底层中形成，并且其中所述互连层插入所述浮动扩散区和所述源极跟随器晶体管之间。

7.根据权利要求6所述的成像像素，其特征在于还包括：

在所述下衬底层中形成的第二存储电容器和第三存储电容器。

8.根据权利要求1所述的成像像素，其特征在于还包括：

在所述上衬底层中形成的耦接到所述浮动扩散区的转移晶体管，其中所述浮动扩散区在所述下衬底层中形成，并且其中所述互连层插入所述转移晶体管和所述浮动扩散区之间。

9.根据权利要求8所述的成像像素，其特征在于还包括：

在所述下衬底层中形成的第二存储电容器和第三存储电容器。

10.一种成像像素，其特征在于包括：

第一浮动扩散区；

耦接到所述第一浮动扩散区的光电二极管；

耦接到所述第一浮动扩散区的第一源极跟随器晶体管；

第二浮动扩散区；

耦接到所述第二浮动扩散区的第二源极跟随器晶体管；

第一存储电容器；

第二存储电容器；和

第三存储电容器。

11.根据权利要求10所述的成像像素，其特征在于还包括插入所述第二浮动扩散区和所述第一源极跟随器晶体管之间的采样晶体管。

12.根据权利要求11所述的成像像素，其特征在于还包括：

插入所述第一浮动扩散区和第一正电源端子之间的第一重置晶体管；和

插入所述第二浮动扩散区和第二正电源端子之间的第二重置晶体管。

13.根据权利要求12所述的成像像素，其特征在于还包括：

插入所述采样晶体管和所述第一存储电容器之间的晶体管；

插入所述采样晶体管和所述第二存储电容器之间的晶体管；

插入所述采样晶体管和所述第三存储电容器之间的晶体管。

14.根据权利要求13所述的成像像素，其特征在于还包括插入输出线和所述第二源极跟随器晶体管之间的行选择晶体管。