[实用新型]一种扩散炉

说明书

技术领域

本实用新型涉及太阳能电池片的技术领域，尤其涉及一种扩散炉。

背景技术

太阳能电池是一种有效地吸收太阳辐射能，利用光生伏打效应把光能转换成电能的器件，当太阳光照在半导体P‐N结上，形成新的空穴一电子对，在P‐N结电场的作用下，空穴由N区流向P区，电子由P区流向N区，接通电路后就形成电流。由于是利用各种势垒的光生伏特效应将太阳光能转换成电能的固体半导体器件，故又称太阳能电池或光伏电池，是太阳能电池阵电源系统的重要组件。太阳能电池主要有晶硅电池、三五族半导体电池、无机电池和有机电池等，其中晶硅太阳能电池居市场主流主导地位。

太阳能电池的制造过程中，硅片的表面需要在扩散炉中进行扩散工艺处理，其主要其利用杂质原子向半导体芯片内部扩散的方法，改变半导体芯片表面层的导电类型，从而形成P‐N结，是形成P‐N结的主要工艺。现有扩散炉管如图1所示，其包括炉体1′，炉体1′内设置有用于转载硅片21′的石英舟22′，在石英舟22′的上方设置喷淋管3′，喷淋管3′的底部设置有喷淋孔31′，如图2所示(图2为喷淋管3′的仰视方向的局部结构示意图)，喷淋孔31′一般分两排均布在喷淋管3′的底部，石英舟22′的下方设置有排气管4′，排气管4′的末端为排气口，喷淋孔31′喷淋的POCl₃经过硅片21′时，部分位于硅片21′表面完成扩散，其余的POCl₃通过排气管4′排出。现有的扩散炉进行喷淋扩散时，喷淋管3′的喷淋孔31′距离硅片21′距离偏大，排气管4′的排气口在炉口端或在炉底，由于硅片21′的阻挡作用，硅片21′的中部位置的气流阻力比边缘气流阻力大，使得硅片21′中心位置附近的POCl₃浓度低于硅片21′的边缘附近的POCl₃的浓度，导致扩散后的硅片21′的表面的方块电阻产生差异，硅片21′的中心区域的方块电阻大，边缘区域的方块电阻小，影响硅片21′的表面的方块电阻的均匀性，降低了硅片21′的性能。

实用新型内容

本实用新型的目的在于提出一种扩散炉，提高位于硅片中部位置的POCl₃的浓度，提高硅片的表面的方块电阻的均匀性和性能。

为达此目的，本实用新型采用以下技术方案：

一种扩散炉，包括炉体，所述炉体内设置有用于装载硅片的石英舟，所述石英舟的正上方设置有喷淋管，所述喷淋管的底部设置有相互平行的至少三组并排设置的喷淋孔，同一组的所述喷淋孔的形状和大小相同，所述喷淋孔包括位于外侧的两组第一喷淋孔和位于内侧的至少一组第二喷淋孔，所述第二喷淋孔的横截面积小于所述第一喷淋孔的横截面积，所述第二喷淋孔的位置与所述石英舟的中部相对应。

其中，所述第二喷淋孔的位置与所述第一喷淋孔的位置相互错位设置。

其中，每组所述喷淋孔均为圆孔，一组所述第一喷淋孔的数量多于一组所述第二喷淋孔的数量。

其中，所述第二喷淋孔的横截面积为0.0314mm²-0.07065mm²，所述第一喷淋孔的横截面积为0.07065mm²-0.1256mm²。

其中，所述喷淋管为圆柱形，每组所述喷淋孔均沿所述喷淋管的轴向设置，所述第二喷淋孔位于所述喷淋管的最低处，两组所述第一喷淋孔对称设置于所述第二喷淋孔的两侧。

其中，所述石英舟的相对的两个侧边相对于最低处的一组所述第二喷淋孔对称设置。

其中，所述石英舟的下方设置有末端封闭的排气管，所述排气管与所述喷淋管平行，所述排气管的顶部沿所述排气管的轴向均布有排气孔。

其中，每个所述排气孔均连通有竖直向上设置的排气旁管。

其中，所述排气管的前端连通吸气装置。

其中，所述排气管可绕其轴线转动，所述排气管的前端设置有把手，以便于转动所述排气管。