[实用新型]低寄生感光灵敏度全局曝光图像传感器有效
| 申请号： | 201621060811.1 | 申请日： | 2016-09-18 |
| 公开（公告）号： | CN206136103U | 公开（公告）日： | 2017-04-26 |
| 发明（设计）人： | 王欣洋;周春平;宫辉力;李小娟;周泉;武大猷;郭姣 | 申请（专利权）人： | 首都师范大学 |
| 主分类号： | H04N5/374 | 分类号： | H04N5/374;H04N5/351 |
| 代理公司： | 长春吉大专利代理有限责任公司22201 | 代理人： | 王淑秋 |
| 地址： | 100048 北*** | 国省代码： | 北京;11 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 寄生 感光 灵敏度 全局 曝光 图像传感器 | ||
【权利要求书】：
1.一种低寄生感光灵敏度全局曝光图像传感器，包括衬底(1)及生长在衬底(1)上的存储节点(4)，其特征在于所述衬底(1)上靠近存储节点(4)寄生p-n结的区域生长保护区(6)；存储节点(4)和保护区(6)均为n+型半导体，保护区(6)接高电位。
2.根据权利要求1所述的低寄生感光灵敏度全局曝光图像传感器，其特征在于所述的保护区(6)由多个保护柱组成，多个保护柱均匀分布在存储节点(4)周围。
3.根据权利要求1所述的低寄生感光灵敏度全局曝光图像传感器，其特征在于所述的保护区(6)由多个保护柱组成，多个保护柱沿平行于存储节点(4)长度的方向均匀分布。
4.根据权利要求2或3所述的低寄生感光灵敏度全局曝光图像传感器，其特征在于所述保护柱为正方形，其边长在0.1-60um之间，相邻保护柱之间的间隙t在0.1-0.56um之间，保护柱与存储节点(4)之间的间隙w在0.1um-0.56um之间。
5.根据权利要求1所述的低寄生感光灵敏度全局曝光图像传感器，其特征在于所述的保护区(6)三面围绕存储节点(4)形成保护开环。
6.根据权利要求1所述的低寄生感光灵敏度全局曝光图像传感器，其特征在于所述的保护区(6)平行于存储节点(4)的长度方向形成保护层。
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