[实用新型]用于激光写入系统的磁电阻传感器晶元版图

权利要求书

1.一种用于激光写入系统的磁电阻传感器晶元版图，所述晶元版图包括多个构成阵列的矩形切片，所述切片表面设置有磁电阻多层薄膜(1)，所述磁电阻多层薄膜(1)包括反铁磁层(4)，所述磁电阻多层薄膜(1)图形化成磁电阻传感单元，所述磁电阻传感单元的所述反铁磁层(4)磁化取向通过激光写入系统进行定向排列，所述磁电阻传感单元电连接成桥臂，所述桥臂电连接成磁电阻传感器，其特征在于：所述磁电阻传感单元排列成至少两个空间隔离的磁电阻取向集团，在每个所述磁电阻取向集团内，所述磁电阻传感单元的反铁磁层磁化取向角相同，且所述磁化取向角的范围为0到360度，相邻两个磁电阻取向集团的所述磁化取向角不同，且每个所述磁电阻取向集团与至少一个相邻所述切片内的具有相同磁化取向角的所述磁电阻取向集团近邻。

2.根据权利要求1所述的一种用于激光写入系统的磁电阻传感器晶元版图，其特征在于：所述磁电阻传感单元为TMR传感单元或者GMR自旋阀传感单元，所述磁电阻传感单元包括铁磁自由层/非磁性隔离层/单层堆叠结构铁磁参考层，或者所述磁电阻传感单元包括铁磁自由层/非磁性隔离层/多层薄膜结构铁磁参考层，所述单层堆叠结构铁磁参考层为反铁磁层/铁磁参考层，所述多层薄膜结构铁磁参考层为反铁磁层/n个中间层/铁磁参考层，其中，所述中间层为铁磁层/金属间隔层，n为大于或等于1的整数。

3.根据权利要求1所述的一种用于激光写入系统的磁电阻传感器晶元版图，其特征在于：所述磁电阻传感器为线性磁电阻传感器或角度磁电阻传感器，没有外加磁场时，所述线性磁电阻传感器对应的所述磁电阻传感单元通过永磁偏置、双交换作用和形状各向异性中的一种或多种方式设定所述铁磁自由层的磁化方向。

4.根据权利要求1所述的一种用于激光写入系统的磁电阻传感器晶元版图，其特征在于：所述磁电阻传感器为单轴X推挽式磁电阻传感器或双轴X-Y推挽式磁电阻传感器，所述单轴X推挽式磁电阻传感器和双轴X-Y推挽式磁电阻传感器分别为全桥、半桥或者准桥结构，所述单轴X推挽式磁电阻传感器包括单轴X线性磁电阻传感器和单轴X角度磁电阻传感器，所述双轴X-Y推挽式磁电阻传感器包括双轴X-Y线性磁电阻传感器和双轴X-Y角度磁电阻传感器，所述单轴X线性磁电阻传感器和单轴X角度磁电阻传感器均包括X推臂和X挽臂，所述双轴X-Y线性磁电阻传感器和双轴X-Y角度磁电阻传感器均包括X推臂、X挽臂、Y推臂和Y挽臂，所述X推臂包括推X轴磁电阻传感单元，所述X挽臂包括挽X轴磁电阻传感单元，所述Y推臂包括推Y轴磁电阻传感单元，所述Y挽臂包括挽Y轴磁电阻传感单元。