[实用新型]一种田字形磁架有效
申请号: | 201620989465.9 | 申请日: | 2016-08-31 |
公开(公告)号: | CN206236501U | 公开(公告)日: | 2017-06-09 |
发明(设计)人: | 方志财;胡立江;李俊;刘小勇;潘丹 | 申请(专利权)人: | 浙江和也健康科技有限公司 |
主分类号: | H01F7/00 | 分类号: | H01F7/00 |
代理公司: | 湖州金卫知识产权代理事务所(普通合伙)33232 | 代理人: | 赵卫康 |
地址: | 313300 浙江省湖州市安吉县经*** | 国省代码: | 浙江;33 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 种田 字形 | ||
技术领域
本实用新型涉及磁性材料技术领域,具体为一种田字形磁架。
背景技术
现有的磁架种类越来越多,用在按摩器材、磁保健家居等中,但现有的磁架结构稳定性不高,生产成本较高,表面磁场强度相对较弱,容易损伤、易位、变形等,抗干扰能力较弱,磁保健效果还不够好。
实用新型内容
本实用新型的一个目的是提供一种结构稳定性高、物理性能更好且磁保健效果更好的田字形磁架。
本实用新型的上述技术目的是通过以下技术方案得以实现的:一种田字形磁架,包括田字形的底部框架板,所述底部框架板上位于各个交点处均设有磁颗粒,所述磁颗粒通过中间部位穿过螺钉与底部框架板进行螺接固定或者通过底部涂胶水的方式与底部框架板进行胶黏固定,所述磁颗粒包括圆柱形的基体,所述基体的上底面上一体连接有位于基体上方的聚磁体,所述聚磁体的从其与所述基体的上底面连接的底面至其的至少三分之二的高度处的水平方向的各个截面的面积由下往上逐渐减小,所述聚磁体的高度小于所述基体的高度,所述聚磁体的从其与所述基体的上底面连接的底面至其的至少三分之二的高度处的水平方向的各个截面均为圆形面。
上述技术方案中,整个磁架的稳定性更好,物理性能更好,磁保健按摩效果也极大提升。
作为对本实用新型的优选,所述聚磁体呈圆台形状。进一步优化结构,提升上述的各种有益效果。
作为对本实用新型的优选,所述聚磁体呈圆形凸起状。进一步优化结构,提升上述的各种有益效果。
作为对本实用新型的优选,所述聚磁体最底下的水平方向的截面的半径为基体的高度的1.5倍以上。进一步优化结构,提升上述的各种有益效果。
作为对本实用新型的优选,所述基体的高度为聚磁体高度的1.5倍以上。进一步优化结构,提升上述的各种有益效果。
作为对本实用新型的优选,所述聚磁体的顶部开设有圆形状的凹陷。进一步优化结构,提升上述的各种有益效果,提升透气性,保护磁颗粒,提升磁保健效果。
作为对本实用新型的优选,基体的侧面以及聚磁体的侧面均为抛光面。进一步优化结构,提升上述的各种有益效果。
作为对本实用新型的优选,基体的侧面以及聚磁体的侧面均涂覆有防氧化涂层。进一步优化结构,提升上述的各种有益效果。
作为对本实用新型的优选,所述聚磁体的从其与所述基体的上底面连接的底面至其的至少三分之二的高度处的水平方向的各个截面均为边数超过10的多边形面。进一步优化结构,提升上述的各种有益效果。
本实用新型的有益效果:整个结构的稳定性更高,受力分布更加优化,物理性能得到极大提升,磁场强度相比以前具有更好的集中度和穿透力,磁场强度也变高,不容易损伤、易位、变形等,抗干扰能力强,磁保健效果更好,放在按摩器材或者家居用品等中,具有更好的磁保健按摩效果,生产成本可以得到更好地控制。
附图说明
图1是本实用新型实施例1的立体结构示意图;
图2是本实用新型实施例1的磁颗粒的未安装时的立体结构示意图。
图中:21、底部框架板,22、磁颗粒,1、基体,2、聚磁体,3、凹陷。
具体实施方式
以下具体实施例仅仅是对本实用新型的解释,其并不是对本实用新型的限制,本领域技术人员在阅读完本说明书后可以根据需要对本实施例做出没有创造性贡献的修改,但只要在本实用新型的权利要求范围内都受到专利法的保护。
实施例1,如图1、2所示,一种田字形磁架,包括田字形的底部框架板21,所述底部框架板21上位于各个交点处均设有磁颗粒22,所述磁颗粒22通过中间部位穿过螺钉与底部框架板21进行螺接固定或者通过底部涂胶水的方式与底部框架板21进行胶黏固定。磁颗粒22包括圆柱形的基体1,所述基体1的上底面上一体连接有位于基体1上方的聚磁体2,所述聚磁体2的从其与所述基体1的上底面连接的底面至其的至少三分之二的高度处的水平方向的各个截面的面积由下往上逐渐减小,所述聚磁体2的高度小于所述基体1的高度。
所述聚磁体2的从其与所述基体1的上底面连接的底面至其的至少三分之二的高度处的水平方向的各个截面均为圆形面。所述聚磁体2呈圆形凸起状。所述聚磁体2最底下的水平方向的截面的半径为基体1的高度的1.5倍以上。所述基体1的高度为聚磁体2高度的1.5倍以上。
进一步的方案,所述聚磁体2的顶部开设有圆形状的凹陷3。凹陷3的深度优先控制在3mm以内。
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