[实用新型]一种非异频上行载波聚合电路及装置有效

专利信息
申请号: 201620924711.2 申请日: 2016-08-23
公开(公告)号: CN206135901U 公开(公告)日: 2017-04-26
发明(设计)人: 王立;罗迤宝 申请(专利权)人: 中兴通讯股份有限公司
主分类号: H04B1/40 分类号: H04B1/40;H04B1/00
代理公司: 北京派特恩知识产权代理有限公司11270 代理人: 张颖玲,蒋雅洁
地址: 518057 广东省深圳市南山*** 国省代码: 广东;44
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摘要:
搜索关键词: 一种 非异频 上行 载波 聚合 电路 装置
【权利要求书】:

1.一种非异频上行载波聚合电路,其特征在于,所述电路包括:

接收各种频段的射频信号的合路器;

由移动产业处理器接口MIPI输入的控制信息控制的射频开关;

接收根据终端当前是否接入上行载波聚合工作模式确定的控制信号并控制所述射频开关的MIPI接口;

所述射频开关的输入端与所述合路器的输入端连接,所述射频开关的输出端与所述合路器的输出端连接。

2.根据权利要求1所述的非异频上行载波聚合电路,其特征在于,所述射频开关为具有旁路Bypass功能的开关。

3.根据权利要求2所述的非异频上行载波聚合电路,其特征在于,所述射频开关的输入端为Bypass端口;

所述射频开关的Bypass端口同步接入到载波聚合CA频段双工器的公共端。

4.根据权利要求1至3任一项所述的非异频上行载波聚合电路,其特征在于,所述非异频上行载波聚合电路还包括:为所述合路器、所述射频开关、以及所述MIPI接口供电的电源。

5.一种非异频上行载波聚合装置,其特征在于,所述非异频上行载波聚合装置包括权利要求1至4任一项所述的非异频上行载波聚合电路、以及用于承载所述非异频上行载波聚合电路的电路结构体;

所述非异频上行载波聚合电路卡合于所述电路结构体中。

6.根据权利要求5所述的非异频上行载波聚合装置,其特征在于,所述电路结构体还包括:射频芯片、射频功率放大器、双工器、天线开关、以及天线;

所述非异频上行载波聚合电路设置在所述双工器和天线开关之间,所述双工器为替换四工器的双工器。

7.根据权利要求5或6所述的非异频上行载波聚合装置,其特征在于,所述卡合的实现方式至少包括之一:卡槽和卡扣卡合、凸起和凹槽卡合。

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