[实用新型]一种低压检测电路和半桥驱动芯片有效

专利信息
申请号: 201620898723.2 申请日: 2016-08-16
公开(公告)号: CN206223841U 公开(公告)日: 2017-06-06
发明(设计)人: 张开友 申请(专利权)人: 大唐恩智浦半导体有限公司
主分类号: G01R19/00 分类号: G01R19/00
代理公司: 北京润泽恒知识产权代理有限公司11319 代理人: 苏培华
地址: 226400 江苏省南*** 国省代码: 江苏;32
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摘要:
搜索关键词: 一种 低压 检测 电路 驱动 芯片
【说明书】:

技术领域

实用新型涉及半导体领域,特别是涉及一种低压检测电路和半桥驱动芯片。

背景技术

由场效应管(MOSFET)作为大功率开关及高速开关器件,在电子技术中得到广泛应用。在实际应用中,场效应管经常用来组成半桥电路。在使用由半桥电路构成的半桥驱动芯片时,需要对其高低边电压进行检测,以避免电源电压偏低时,高边与低边功率驱动管处于直通状态,即避免电路处于短路状态。

在检测高边电压时,由于高边电源电压较高,可超过100V,现有技术中,如图1所示的传统的高边低压检测电路示意图,钳位电路001将高边电源VHC与高边参考地VHS的压差钳位在电压检测点A上,通过比较器002将电压检测点A上的电压与基准电压Vref进行比较,将比较器检测结果B输入至电平转换电路003以使高压数字信号转换为低压数字信号,再将转换后的低压数字信号通过缓冲驱动电路004传输至微处理器。因为电压检测点A上的电压为高压模拟信号,所以需要使用耐高压的比较器对高边电压进行检测。

然而,由于高边电压检测电路中,高边电源VHC和高边参考地VHS为浮动的电压,干扰比较大,耐高压的比较器难以满足检测精度需求。而且由于比较器002的输入电压为高压模拟信号,对应的输出电压为高压数字信号,所以需要额外配备电平转换电路003,将高压数字信号转换为低压数字信号。

实用新型内容

本实用新型实施例提供一种低压检测电路,以解决高边电压检测电路中使用耐高压的比较器导致检测精度受到影响的问题。

为了解决上述问题,第一方面,本实用新型公开了一种低压检测电路,包括:用于限制电压的电压转换电路和用于检测电压的比较器;

其中,电压转换电路包括:用于稳定电压的负反馈钳位电路、用于提供静态电流的电流源、第一电阻、第二电阻和第三电阻;

所述第一电阻连接高边参考地,所述第二电阻连接高边电源,所述第一电阻和所述第二电阻并联;

所述负反馈钳位电路的一侧连接所述第一电阻和所述第二电阻,另一侧分别与所述第三电阻和所述电流源连接;

所述电压转换电路的输出端与所述比较器的输入端连接;

所述负反馈钳位电路,将高边参考地通过第一电阻后的电压和高边电源通过第二电阻后的电压钳位至相等的电压值;

所述电流源,包括用于提供两路相等电流的镜像电路。

可选的,如上所述的低压检测电路,所述电压转换电路还包括:

用于承受高压以保护所述电流源的高压钳位电路,位于所述负反馈钳位电路和所述电流源之间。

可选的,如上所述的低压检测电路,

所述负反馈钳位电路包括第一场效应管、第二场效应管和第三场效应管;

所述高压钳位电路包括第四场效应管和第五场效应管;

所述镜像电路包括第六场效应管、第七场效应管和第八场效应管。

可选的,如上所述的低压检测电路,

所述第一场效应管的源极与所述第一电阻连接;

所述第二场效应管和所述第三场效应管的源极与所述第二电阻连接;

所述第一场效应管的漏极与所述第四场效应管的源极连接;

所述第二场效应管的漏极与所述第五场效应管的源极连接;

所述第三场效应管的漏极与所述第三电阻连接;

所述第四场效应管的漏极与所述第七场效应管的源极连接;

所述第五场效应管的漏极与所述第八场效应管的源极连接;

所述镜像电路与基准电流连接;

所述高压钳位电路与偏置电压连接。

可选的,如上所述的低压检测电路,所述第一场效应管和所述第二场效应管为P型场效应管,所述第三场效应管至第八场效应管为N型场效应管。

可选的,如上所述的低压检测电路,所述第三场效应管的漏极与所述第二电阻的连接处为所述电压转换电路的输出端。

可选的,如上所述的低压检测电路,当所述电压转换电路中的场效应管工作在饱和区时,所述电流源的电流值随之固定。

可选的,如上所述的低压检测电路,所述第一电阻和所述第二电阻的阻值相等,且大于所述第三电阻的阻值。

可选的,如上所述的低压检测电路,还包括:

两个并联的平衡二极管,用于在电源电压启动时稳定工作电压。

所述两个并联的平衡二极管,位于所述两个第一电阻所在的两条导线之间,且导通方向相反。

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