[实用新型]具有更低阻抗表面电极层的压电薄膜传感器

权利要求书

1.一种具有更低阻抗表面电极层的压电薄膜传感器，包括压电薄膜（1）和设于压电薄膜（1）上、下表面中至少一个上的电极层；其特征在于所述电极层为金属网格层（2）。

2.根据权利要求1所述的具有更低阻抗表面电极层的压电薄膜传感器，其特征在于所述金属网格层（2）为铜、银、钼、铝、铬中任意一种金属制成的单层单金属网格层，或者为上述金属中任意两种以上的合金制成的单层合金网格层；或者所述金属网格层（2）由前述两种以上的单层单金属网格层层叠而成。

3.根据权利要求2所述的具有更低阻抗表面电极层的压电薄膜传感器，其特征在于所述铜为纳米铜。

4.根据权利要求3所述的具有更低阻抗表面电极层的压电薄膜传感器，其特征在于纳米铜的级数为20~200nm。

5.根据权利要求1所述的具有更低阻抗表面电极层的压电薄膜传感器，其特征在于所述金属网格层（2）通过真空溅射形成于压电薄膜（1）表面，包含网线（2a）和由网线（2a）交织形成的网孔（2b）。

6.根据权利要求5所述的具有更低阻抗表面电极层的压电薄膜传感器，其特征在于所述网孔（2b）的形状为平行四边形或正六边形或任意其他自由形状。

7.根据权利要求5所述的具有更低阻抗表面电极层的压电薄膜传感器，其特征在于所述网线（2a）的线宽（L）为2~6μm。

8.根据权利要求5或6所述的具有更低阻抗表面电极层的压电薄膜传感器，其特征在于所述金属网格层（2）表面的网孔（2b）密度为25~600目。

9.根据权利要求1所述的具有更低阻抗表面电极层的压电薄膜传感器，其特征在于所述金属网格层（2）的面电阻为0.1~10Ω，其上网格的光透过率为89%~92%。

10.根据权利要求1或5所述的具有更低阻抗表面电极层的压电薄膜传感器，其特征在于所述压电薄膜（1）为PVDF压电薄膜。