[实用新型]一种硅基薄膜太阳能电池的背电极结构有效

申请号：	201620803802.0	申请日：	2016-07-28
公开（公告）号：	CN206259361U	公开（公告）日：	2017-06-16
发明（设计）人：	霍元杰;王飞	申请（专利权）人：	浙江长兴汉能薄膜太阳能有限公司
主分类号：	H01L31/0224	分类号：	H01L31/0224;H01L31/076
代理公司：	湖州金卫知识产权代理事务所(普通合伙)33232	代理人：	赵卫康
地址：	313100 浙江省湖***	国省代码：	浙江;33
权利要求书：	查看更多	说明书：	查看更多
摘要：
搜索关键词：	一种薄膜太阳能电池电极结构
钻瓜网技术展会专利词库专利权人专利榜在售专利公布日期热门专利

【权利要求书】：

1.一种硅基薄膜太阳能电池的背电极结构，包括玻璃衬底（1）、设于所述玻璃衬底（1）上的TCO膜层（2）和设于所述TCO膜层（2）上的Si基光电转换层（3），其特征在于：还包括设于所述Si基光电转换层（3）上ITO层（4）、设于所述ITO层（4）上的Ag金属层（5）和设于所述Ag金属层（5）上的AZO层（6）；所述Si基光电转换层（3）包括依次设置的第一P-I-N层（31）、第二P-I-N层（32）和第三P-I-N层（33），所述第一P-I-N层（31）与所述TCO膜层（2）相连接，所述第三P-I-N层（33）与所述ITO层（4）相连接；所述ITO层（4）和所述AZO层（6）之间还设有与所述Ag金属层（5）连接的Al金属层（7）。

2.根据权利要求1所述的一种硅基薄膜太阳能电池的背电极结构，其特征在于：所述ITO层（4）的厚度为70~90nm。

3.根据权利要求1所述的一种硅基薄膜太阳能电池的背电极结构，其特征在于：所述Ag金属层（5）的厚度为2~4nm。

4.根据权利要求1所述的一种硅基薄膜太阳能电池的背电极结构，其特征在于：所述AZO层（6）的厚度为140~160nm。

5.根据权利要求1所述的一种硅基薄膜太阳能电池的背电极结构，其特征在于：所述第一P-I-N层（31）、所述第二P-I-N层（32）及所述第三P-I-N层（33）各自的光学带隙依次减小。

6.根据权利要求1所述的一种硅基薄膜太阳能电池的背电极结构，其特征在于：所述Ag金属层（5）及所述Al金属层（7）设有多层，所述Ag金属层（5）与所述Al金属层（7）交替设置。

7.根据权利要求1所述的一种硅基薄膜太阳能电池的背电极结构，其特征在于：所述TCO膜层（2）为绒面膜层。

8.根据权利要求1所述的一种硅基薄膜太阳能电池的背电极结构，其特征在于：所述Si基光电转换层（3）为绒面层。

下载完整专利技术内容需要扣除积分，VIP会员可以免费下载。

免登录下载普通用户下载升级VIP会员，免费下载

该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息，商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于浙江长兴汉能薄膜太阳能有限公司，未经浙江长兴汉能薄膜太阳能有限公司许可，擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作，请联系【客服】

本文链接：http://www.vipzhuanli.com/pat/books/201620803802.0/1.html，转载请声明来源钻瓜专利网。