[实用新型]一种MOS场效应晶体管有效
申请号: | 201620597513.X | 申请日: | 2016-06-17 |
公开(公告)号: | CN205828395U | 公开(公告)日: | 2016-12-21 |
发明(设计)人: | 肖韩;陆梅君;田意;董业民;高腾;陈弼梅 | 申请(专利权)人: | 上海新微科技服务有限公司 |
主分类号: | H01L29/78 | 分类号: | H01L29/78;H01L29/423;H01L29/10;H01L29/08 |
代理公司: | 上海音科专利商标代理有限公司31267 | 代理人: | 刘香兰 |
地址: | 201899 上海市嘉定区*** | 国省代码: | 上海;31 |
权利要求书: | 查看更多 | 说明书: | 查看更多 |
摘要: | |||
搜索关键词: | 一种 mos 场效应 晶体管 | ||
【说明书】:
下载完整专利技术内容需要扣除积分,VIP会员可以免费下载。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息,商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于上海新微科技服务有限公司,未经上海新微科技服务有限公司许可,擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作,请联系【客服】
本文链接:http://www.vipzhuanli.com/pat/books/201620597513.X/2.html,转载请声明来源钻瓜专利网。
- 上一篇:一种沟槽型CoolMOS
- 下一篇:一种二极管芯片凸点电极整形中间结构
- 同类专利
- 专利分类