[实用新型]封装材料以及光电器件有效
| 申请号： | 201620422783.7 | 申请日： | 2016-05-11 |
| 公开（公告）号： | CN206148444U | 公开（公告）日： | 2017-05-03 |
| 发明（设计）人： | 李硕;陈海力;解金库;于甄 | 申请（专利权）人： | 张家港康得新光电材料有限公司 |
| 主分类号： | H01L31/048 | 分类号： | H01L31/048;H01L51/44;H01L51/52 |
| 代理公司： | 北京康信知识产权代理有限责任公司11240 | 代理人： | 吴贵明,张永明 |
| 地址： | 215634 江*** | 国省代码： | 江苏;32 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 封装 材料 以及 光电 器件 | ||
1.一种封装材料，其特征在于，包括：
基材层；
阻隔层，设置于所述基材层的任一表面上；
耐候层，设置于所述阻隔层的远离所述基材层的表面上；以及
波长转换层，设置于所述基材层的远离所述阻隔层的表面上或所述基材层与所述阻隔层之间或所述阻隔层与所述耐候层之间；
其中，所述波长转换层用于将波长范围为200～410nm的光转化成波长范围为450nm～700nm的光。
2.根据权利要求1所述的封装材料，其特征在于，所述基材层为PET或PEN。
3.根据权利要求1所述的封装材料，其特征在于，所述波长转换层包含光转换剂，所述光转换剂为掺杂稀土的无机氧化物，所述掺杂稀土的无机氧化物为Sr5(PO4)3Cl:Eu2+、YPO4:Tb和LaPO4:Tm中的一种。
4.根据权利要求1所述的封装材料，其特征在于，所述波长转换层的厚度为3μm～100μm。
5.根据权利要求1所述的封装材料，其特征在于，所述阻隔层为无机氧化物。
6.根据权利要求5所述的封装材料，其特征在于，所述无机氧化物为氧化钛或者氧化铝。
7.根据权利要求1所述的封装材料，其特征在于，所述耐候层为氟化物。
8.根据权利要求7所述的封装材料，其特征在于，所述耐候层为氟碳涂料或者为粘结层与含氟膜的复合层。
9.一种光电器件，包括封装材料，其特征在于，所述封装材料为权利要求1～6任一项所述的封装材料。
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H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L31-00 对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射，或微粒辐射敏感的，并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的，或者专门适用于通过这样的辐射进行电能控制的半导体器件；专门适用于制造或处理这些半导体器件或其部件的方法或
H01L31-02 .零部件
H01L31-0248 .以其半导体本体为特征的
H01L31-04 .用作转换器件的
H01L31-08 .其中的辐射控制通过该器件的电流的，例如光敏电阻器
H01L31-12 .与如在一个共用衬底内或其上形成的，一个或多个电光源，如场致发光光源在结构上相连的，并与其电光源在电气上或光学上相耦合的
