[实用新型]一种新型变温霍尔效应及半导体特性测试仪有效
| 申请号： | 201620413215.0 | 申请日： | 2016-05-09 |
| 公开（公告）号： | CN205608146U | 公开（公告）日： | 2016-09-28 |
| 发明（设计）人： | 刘雍;李武军;陈英明 | 申请（专利权）人： | 武汉市蜀汉量子科技有限责任公司 |
| 主分类号： | G01R31/26 | 分类号： | G01R31/26 |
| 代理公司： | 暂无信息 | 代理人： | 暂无信息 |
| 地址： | 430000 湖北省武汉市武昌*** | 国省代码： | 湖北;42 |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 一种 新型 霍尔 效应 半导体 特性 测试仪 | ||
【说明书】：
下载完整专利技术内容需要扣除积分，VIP会员可以免费下载。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息，商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于武汉市蜀汉量子科技有限责任公司，未经武汉市蜀汉量子科技有限责任公司许可，擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作，请联系【客服】
本文链接：http://www.vipzhuanli.com/pat/books/201620413215.0/2.html，转载请声明来源钻瓜专利网。
- 上一篇：一种数据输出方法及电子设备
- 下一篇：一种多智能体分布式联盟形成方法
