[实用新型]一种高质量MIS结构的AlNGaN基场效应晶体管有效
| 申请号： | 201620385916.8 | 申请日： | 2016-05-03 |
| 公开（公告）号： | CN205810820U | 公开（公告）日： | 2016-12-14 |
| 发明（设计）人： | 刘扬;王文静;何亮 | 申请（专利权）人： | 中山大学 |
| 主分类号： | H01L29/78 | 分类号： | H01L29/78;H01L21/336;H01L29/423 |
| 代理公司： | 广州粤高专利商标代理有限公司44102 | 代理人： | 陈卫 |
| 地址： | 510275 *** | 国省代码： | 广东;44 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 一种 质量 mis 结构 alngan 场效应 晶体管 | ||
【说明书】：
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