[实用新型]将混合物中导体颗粒与非导体颗粒分离的装置有效

专利信息
申请号: 201620275855.X 申请日: 2016-04-01
公开(公告)号: CN206392241U 公开(公告)日: 2017-08-11
发明(设计)人: 不公告发明人 申请(专利权)人: 河北碳垣纳米科技有限公司
主分类号: B03C1/30 分类号: B03C1/30;B03C3/38;B03C3/40
代理公司: 暂无信息 代理人: 暂无信息
地址: 065201 河北省廊坊市三河市燕郊*** 国省代码: 河北;13
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摘要:
搜索关键词: 混合物 导体 颗粒 非导体 分离 装置
【说明书】:

技术领域

实用新型涉及颗粒分离领域,具体地,涉及一种将混合物中导体颗粒与非导体颗粒分离的装置。

背景技术

碳纳米管作为一种独特的一维结构纳米碳材,自其在1991年被发现以来,就一直是先进材料研究的热点。

但目前制备方法包括电弧、激光烧蚀和化学气相沉积等方法所制备的碳纳米管都是金属型碳纳米管与半导体型碳纳米管的混合物,半导体型碳纳米管的存在会一定程度降低碳纳米管薄膜的导电性能,而金属型碳纳米管的存在则会降低碳纳米管的晶体管特性。因此碳纳米管的分离技术成为人们关注和研究的热点。

目前,分离半导体型碳纳米管和导体型碳纳米管的方法包括选择性生长法、选择性化学修饰法、选择性破坏法、色谱法、电泳分离法和超高速离心法等,但这些技术普遍存在成本高、耗时、难以实现规模化等问题。

实用新型内容

本实用新型的目的在于提供一种将混合物中导体颗粒与非导体颗粒分离的装置,利用所述装置和所述装置能够以较低的成本快速地分离混合在一起的导体颗粒和非导体颗粒。

为了实现上述目的,本实用新型提供一种将混合物中导体颗粒与非导体颗粒分离的装置,所述非导体包括半导体颗粒和/或绝缘体颗粒,其中,所述装置包绝缘的容纳槽、磁场产生组件和电场产生组件,所述磁场产生组件能 够产生磁场,所述电场产生组件设置在所述容纳槽内,所述容纳槽的至少一部分位于所述磁场组件产生的磁场内,且所述磁场的方向与所述电场的方向垂直,所述容纳槽的侧壁上设置有导体出口,所述导体出口设置在当所述电场产生组件产生电场、所述磁场产生组件产生磁场时位于所述电场和所述磁场中的导体颗粒的移动方向的下游。

优选地,所述磁场产生组件包括第一磁体和第二磁体,所述第一磁体和所述第二磁体分别设置在所述容纳槽的第一方向的两侧,且所述第一磁体和所述第二磁体的磁极相反。

优选地,所述电场产生组件包括第一电极和第二电极,所述第一电极和所述第二电极分别设置在所述容纳槽的第二方向的两端,所述第一方向和所述第二方向垂直,所述第二电极位于所述第一电极和设置有所述导体出口的侧壁之间,且流体能够穿过所述第二电极。

优选地,所述第二电极包括第二金属网。

优选地,所述容纳槽上还设置有入口,所述第一电极位于设置有所述入口的侧壁以及所述第二电极之间,流体能够穿过所述第一电极。

优选地,所述装置还包括用于提供分散液的分散液源,所述分散液源的出口与所述入口连通。

优选地,所述第一电极包括第一电极网。

优选地,所述容纳槽内设置有挡板,所述挡板的一端固定在所述容纳槽的设置有所述导体出口的侧壁上,并朝向所述容纳槽的中部延伸,且所述导体出口位于所述挡板的一侧。

优选地,所述容纳槽的设置有所述导体出口的侧壁上设置有非导体出口,所述导体出口和所述非导体出口分别位于所述挡板的两侧。

优选地,当所述装置包括第二电极时,所述挡板位于所述第二电极和所述容纳槽的设置所述导体出口的侧壁之间。

在本实用新型中,只需要电场、磁场和分散液即可有效地将混合物中的导体和非导体分离,方法简单,并且所述装置结构也非常简单。

附图说明

图1是本实用新型所提供的将混合物中导体颗粒与非导体颗粒分离的装置的主视示意图;

图2是图1的俯视图。

附图标记说明

100:容纳槽 110:导体出口

120:非导体出口 130:流体入口

200:电场产生组件 210:第一电极

220:第二电极 310:第一磁体

320:第二磁体 400:挡板

具体实施方式

以下结合附图对本实用新型的具体实施方式进行详细说明。应当理解的是,此处所描述的具体实施方式仅用于说明和解释本实用新型,并不用于限制本实用新型。

作为本实用新型的一个方面,如图1和图2所示,提供一种将混合物中导体颗粒与非导体颗粒分离的装置,所述非导体包括半导体颗粒和/或绝缘体颗粒,其中,所述装置包括绝缘的容纳槽100、磁场产生组件和电场产生组件200,所述磁场产生组件能够产生磁场,电场产生组件200设置在容纳槽100内,容纳槽100的至少一部分位于所述磁场组件产生的磁场内,且所述磁场的方向与所述电场的方向垂直,容纳槽100的侧壁上设置有导体出口 110,该导体出口设置在当电场产生组件100产生电场、所述磁场产生组件产生磁场时位于所述电场和所述磁场中的导体颗粒的移动方向的下游。

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