[实用新型]紫外GaN基LED外延结构

权利要求书

1.一种紫外GaN基LED外延结构，其特征在于，所述LED外延结构依次包括：

衬底；

位于所述衬底上的低温缓冲层；

位于所述低温缓冲层上的高温u-GaN层；

位于所述高温u-GaN层上的高温n-GaN层；

位于所述高温n-GaN层上的低温AlGaN/GaN超晶格层，所述低温AlGaN/GaN超晶格层包括层叠设置的低温AlGaN层和低温GaN层；

位于所述低温AlGaN/GaN超晶格层上的低温InGaN/AlGaN紫外发光层，所述低温InGaN/AlGaN紫外发光层包括层叠设置的低温InGaN量子阱层和低温AlGaN量子垒层，所述低温InGaN/AlGaN紫外发光层的发光波长为365~390nm；

位于所述低温InGaN/AlGaN紫外发光层上的高温p-AlGaN电子阻挡层；

位于所述高温p-AlGaN电子阻挡层上的高温p-GaN层。

2.根据权利要求1所述的紫外GaN基LED外延结构，其特征在于，所述低温AlGaN/GaN超晶格层包括3~15个周期层叠设置的低温AlGaN层和低温GaN层。

3.根据权利要求2所述的紫外GaN基LED外延结构，其特征在于，所述低温AlGaN/GaN超晶格层中，每层低温AlGaN层的厚度为1~5nm，每层低温GaN层的厚度为1~5nm。

4.根据权利要求1所述的紫外GaN基LED外延结构，其特征在于，所述低温AlGaN/GaN超晶格层中低温AlGaN层的Al组分为0.01~0.05。

5.根据权利要求1所述的紫外GaN基LED外延结构，其特征在于，所述低温InGaN/AlGaN紫外发光层包括6~10个周期层叠设置的低温InGaN量子阱层和低温AlGaN量子垒层。

6.根据权利要求5所述的紫外GaN基LED外延结构，其特征在于，所述低温InGaN/AlGaN紫外发光层中，每层低温InGaN量子阱层的厚度为2~4nm，每层低温AlGaN量子垒层的厚度为6~12nm。

7.根据权利要求1所述的紫外GaN基LED外延结构，其特征在于，所述低温InGaN/AlGaN紫外发光层中低温AlGaN量子垒层的Al组分为0.05~0.25。

8.根据权利要求1所述的紫外GaN基LED外延结构，其特征在于，所述低温InGaN/AlGaN紫外发光层中低温InGaN量子阱层的In组分为0~0.09。

9.根据权利要求1所述的紫外GaN基LED外延结构，其特征在于，所述低温缓冲层为低温GaN层或低温AlGaN层。