[实用新型]AlGaInP系发光二极管有效
| 申请号： | 201620112664.1 | 申请日： | 2016-02-04 |
| 公开（公告）号： | CN205385039U | 公开（公告）日： | 2016-07-13 |
| 发明（设计）人： | 贾月华;吴俊毅;陶青山;王笃祥 | 申请（专利权）人： | 天津三安光电有限公司 |
| 主分类号： | H01L33/38 | 分类号： | H01L33/38 |
| 代理公司： | 暂无信息 | 代理人： | 暂无信息 |
| 地址： | 300384 天津*** | 国省代码： | 天津;12 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | algainp 发光二极管 | ||
1.AlGaInP系发光二极管，包括：
基板，具有相对的上表面和下表面；
发光外延叠层，位于所述基板的上表面，至少包含第一半导体层、第二半导体层和夹在两者之间的发光层；
电极，位于所述发光外延叠层的上表面，由焊盘和扩展电极构成；
其特征在于：所述扩展电极通过一GaAs接触层与所述发光外延叠层形成欧姆连接，所述GaAs接触层嵌入所述发光外延叠层内，并由所述扩展电极覆盖。
2.根据权利要求1所述的AlGaInP系发光二极管，其特征在于：所述GaAs接触层具有上、下表面和连接上、下表面的侧壁，在所述GaAs接触层的侧壁设置反射层。
3.根据权利要求1所述的AlGaInP系发光二极管，其特征在于：所述GaAs接触层具有倾斜的侧壁。
4.根据权利要求3所述的AlGaInP系发光二极管，其特征在于：所述倾斜的侧壁与所述发光外延叠层的上表面之间的夹角为20~70°。
5.根据权利要求1所述的AlGaInP系发光二极管，其特征在于：所述GaAs接触层呈梯形状，其中顶部宽度大于底部的宽度。
6.根据权利要求5所述的AlGaInP系发光二极管，其特征在于：所述梯形的上角取值范围为20~70°。
7.根据权利要求1所述的AlGaInP系发光二极管件，其特征在于：所述GaAs接触层的上表面与所述发光外延叠层的上表面齐平。
8.根据权利要求1所述的AlGaInP系发光二极管，其特征在于：所述GaAs接触层的横截面积小于所述扩展电极的横截面积。
9.一种照明系统，具有上述权利要求1~8中的任一项AlGaInP系发光二极管。
10.一种显示系统，具有上述权利要求1~8中的任一项AlGaInP系发光二极管。
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