[实用新型]一种MOS管放大电路

说明书

技术领域

本实用新型涉及一种放大电路，具体是一种MOS管放大电路。

背景技术

差动放大电路又叫差分电路，它不仅能有效地放大交流信号，而且能有效地减小由于电源波动和晶体管随温度变化而引起的零点漂移，因而获得广泛的应用，特别是大量的应用于集成运放电路，它常被用作多级放大器的前置级。

现有的差动放大器大多采用两个三极管发射极上连接一个大的公共电阻，从而保持三极管工作点的稳定性，但需要的负电源很低，这样才能让三极管发射极电压和基极电压不会很高，现在随着MOS管的广泛运用，很多设计开始使用三极管和MOS管配合进行放大，但是，很多现有的设计都存在着MOS管交越失真的现象，得到的放大器稳定性较低。

实用新型内容

本实用新型的目的在于提供一种MOS管放大电路，以解决上述背景技术中提出的问题。

为实现上述目的，本实用新型提供如下技术方案：

一种MOS管放大电路，包括电阻R1、电容C1、三极管VT1、MOS管Q1、三极管VT2和三极管VT3，所述三极管VT1基极连接输入信号Vi，三极管VT1发射极分别连接电容C2和三极管VT2发射极，三极管VT1集电极分别连接电阻R1、电容C1和三极管VT4基极，三极管VT2集电极分别连接电阻R2和三极管VT3基极，三极管VT3集电极接地，三极管VT3发射极分别连接电阻R3和三极管VT4发射极，三极管VT4集电极连接三极管VT5集电极，三极管VT5基极分别连接电阻R4和电阻R6，电阻R4另一端分别连接电容C1另一端和三极管VT6基极，电阻R6另一端连接三极管VT7基极，三极管VT7发射极连接电阻R7，电阻R7另一端分别连接三极管VT6发射极和MOS管Q1的G极，MOS管Q1的D极分别连接电源VCC、电阻R3另一端、电阻R2另一端和电阻R1另一端，MOS管Q1的S极分别连接输出端Vo、MOS管Q2的D极和电阻R5，电阻R5另一端连接三极管VT2基极，MOS管Q2的G极分别连接三极管VT7集电极和电阻R8，电阻R8另一端分别连接MOS管Q2的S极、三极管VT5发射极和电容C2另一端并接地。

作为本实用新型再进一步的方案：所述电源VCC电压为5V。

与现有技术相比，本实用新型的有益效果是：本实用新型MOS管放大电路采用三极管配合MOS管使用，VT5、R4、R6组成恒压源电路，为VT6、VT7提供适当的直流偏置，防止Q1、Q2产生交越失真，稳定性高。

附图说明

图1为MOS管放大电路的电路图。

具体实施方式

下面将结合本实用新型实施例中的附图，对本实用新型实施例中的技术方案进行清楚、完整地描述，显然，所描述的实施例仅仅是本实用新型一部分实施例，而不是全部的实施例。基于本实用新型中的实施例，本领域普通技术人员在没有做出创造性劳动前提下所获得的所有其他实施例，都属于本实用新型保护的范围。

请参阅图1，本实用新型实施例中，一种MOS管放大电路，包括电阻R1、电容C1、三极管VT1、MOS管Q1、三极管VT2和三极管VT3，所述三极管VT1基极连接输入信号Vi，三极管VT1发射极分别连接电容C2和三极管VT2发射极，三极管VT1集电极分别连接电阻R1、电容C1和三极管VT4基极，三极管VT2集电极分别连接电阻R2和三极管VT3基极，三极管VT3集电极接地，三极管VT3发射极分别连接电阻R3和三极管VT4发射极，三极管VT4集电极连接三极管VT5集电极，三极管VT5基极分别连接电阻R4和电阻R6，电阻R4另一端分别连接电容C1另一端和三极管VT6基极，电阻R6另一端连接三极管VT7基极，三极管VT7发射极连接电阻R7，电阻R7另一端分别连接三极管VT6发射极和MOS管Q1的G极，MOS管Q1的D极分别连接电源VCC、电阻R3另一端、电阻R2另一端和电阻R1另一端，MOS管Q1的S极分别连接输出端Vo、MOS管Q2的D极和电阻R5，电阻R5另一端连接三极管VT2基极，MOS管Q2的G极分别连接三极管VT7集电极和电阻R8，电阻R8另一端分别连接MOS管Q2的S极、三极管VT5发射极和电容C2另一端并接地；所述电源VCC电压为5V。