[实用新型]一种改进型半桥变换器电路

说明书

技术领域

本实用新型公开了一种改进型半桥变换器电路，涉及电力电子技术领域。

背景技术

半桥型变换器普遍存在偏磁问题：由于两个电容连接点的电位是随晶体管导通情况而浮动，所以能够自动的平衡每个晶体管开关的伏秒值，当浮动不满足要求时，假设晶体管具有不同的开关特性，即在相同的基极脉冲宽度下，一个关断较慢，另一个关断较快，则对输出电压就会有影响，导致存在不平衡伏秒值，进而导致其中的一个晶体管关断延迟。

如果要这种不平衡的波形驱动变压器，将会发生偏磁现象，致使铁心饱和并产生过大的晶体管集电极电流，从而降低了变换器的效率，使晶体管失控，甚至烧毁。

从半桥电路结构上看，选用桥臂上的两个电容时需要考虑电容的均压问题，尽量选用C1=C2的电容，那么当某一开关管导通时，绕组上的电压只有电源电压的一半，达到均压效果，一般情况下，还要在两个电容两端各并联一个电阻R1和R2并且满足R1=R2，此时在选择阻值和功率时需要注意降额，电容C1、C2的作用就是用来自动平衡每个开关管的伏秒值。

实用新型内容

本实用新型所要解决的技术问题是：针对现有技术的缺陷，提供一种改进型半桥变换器电路。

本实用新型为解决上述技术问题采用以下技术方案：

一种改进型半桥变换器电路，包括第一至第三电阻，第一至第四电容，第一至第四二极管，电感，第一、第二N-MOS管和变压器铁芯，其中，

所述第一电阻的一端分别与第一电容的一端、第一N-MOS管的漏极、第三二极管的负极相连接，第一电阻的另一端分别与第一电容的另一端、第二电阻的一端、第二电容的一端、第四二极管的负极、变压器铁芯的一侧绕组相连接，第二电阻的另一端分别与第二电容的另一端、第二N-MOS管的源极、第四二极管的正极相连接并接地，第一N-MOS管的源极分别与第二N-MOS管的漏极、第三二极管的正极、第三电容的一端相连接，第三电容的另一端与变压器铁芯的一侧绕组相连接，第一二极管的正极与变压器铁芯的另一侧绕组相连接，第一二极管的负极分别与第二二极管的负极、电感的一端相连接，第二二极管的正极与变压器铁芯的另一侧绕组相连接，电感的另一端分别与第四电容的一端、第三电阻的一端相连接，第四电容的另一端分别与第三电阻的另一端、变压器铁芯的另一侧绕组相连接并接地。

作为本实用新型的进一步优选方案，所述第一电容与第二电容的大小相等。

作为本实用新型的进一步优选方案，所述第一电阻和第二电阻的大小相等。

作为本实用新型的进一步优选方案，所述电感的大小为0.1μH。

作为本实用新型的进一步优选方案，所述第一、第二N-MOS管的型号为TO-252。

本实用新型采用以上技术方案与现有技术相比，具有以下技术效果：有效的解决了现有技术中半桥型变换器普遍存在的偏磁问题和两个电容的具体选用问题。

附图说明

图1是本实用新型的电路连接示意图，

其中：R1、R2、RL分别为第一至第三电阻，C1、C2、C3、C0分别为第一至第四电容，D1至D4分别为第一至第四二极管，L为电感，Q1、Q2分别为第一、第二N-MOS管，T1为变压器铁芯。

具体实施方式

下面详细描述本实用新型的实施方式，所述实施方式的示例在附图中示出，其中自始至终相同或类似的标号表示相同或类似的元件或具有相同或类似功能的元件。下面通过参考附图描述的实施方式是示例性的，仅用于解释本实用新型，而不能解释为对本实用新型的限制。

下面结合附图对本实用新型的技术方案做进一步的详细说明：

本实用新型的电路连接示意图如图1所示，一种改进型半桥变换器电路，包括第一至第三电阻，第一至第四电容，第一至第四二极管，电感，第一、第二N-MOS管和变压器铁芯，其中，