[实用新型]具有高接合强度的多层结构的转接介面板有效
| 申请号: | 201620080751.3 | 申请日: | 2016-01-27 |
| 公开(公告)号: | CN205376474U | 公开(公告)日: | 2016-07-06 |
| 发明(设计)人: | 李文聪;谢开杰;邓元玱 | 申请(专利权)人: | 中华精测科技股份有限公司 |
| 主分类号: | H01L21/66 | 分类号: | H01L21/66 |
| 代理公司: | 隆天知识产权代理有限公司 72003 | 代理人: | 张福根;冯志云 |
| 地址: | 中国台*** | 国省代码: | 中国台湾;71 |
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| 摘要: | |||
| 搜索关键词: | 具有 接合 强度 多层 结构 转接 介面 | ||
1.一种具有高接合强度的多层结构的转接介面板,适用于晶圆测试,其特征在于,该具有高接合强度的多层结构的转接介面板包括:
一核心基板,其表面上设有一线路层,该线路层具有至少一导线线头;以及
一薄膜层结构,其迭设于该核心基板的表面上并覆盖该线路层,该薄膜层结构具有至少一导电盲孔,且至少一该导电盲孔的底端导体同时接触至少一该导线线头及该核心基板的部分表面。
2.如权利要求1所述的具有高接合强度的多层结构的转接介面板,其特征在于,至少一该导电盲孔包含一电性接触部及一从该电性接触部延伸所形成的周边接触部,该电性接触部与至少一该导线线头相互接触,该周边接触部与该薄膜层结构的部分表面相互接触。
3.如权利要求2所述的具有高接合强度的多层结构的转接介面板,其特征在于,至少一该导电盲孔的该电性接触部具有一相对应于该导线线头的主要区域及一围绕于该主要区域的其中一部分的周边区域,而该周边接触部从该周边区域延伸所形成。
4.如权利要求3所述的具有高接合强度的多层结构的转接介面板,其特征在于,该周边区域进一步围绕该主要区域的其余部分。
5.如权利要求1所述的具有高接合强度的多层结构的转接介面板,其特征在于,该薄膜层结构上设有一电性连接垫。
6.如权利要求5所述的具有高接合强度的多层结构的转接介面板,其特征在于,由该电性连接垫所延伸的多个最表层晶圆测试点呈矩阵式排列或环绕式排列。
7.一种具有高接合强度的多层结构的转接介面板,适用于晶圆测试,该具有高接合强度的多层结构的转接介面板包括依序迭设而成的多个线路薄膜层结构,其特征在于,任一该薄膜层结构具有至少一第一导电盲孔,任一该薄膜层结构的表面上设有一电性连接至少一该第一导电盲孔的互连层,且该互连层包含至少一导线线头,而另一该薄膜层结构具有至少一第二导电盲孔,且至少一该第二导电盲孔的底端导体同时接触相对应的至少一该导线线头及任一该薄膜层结构的部分表面。
8.如权利要求7所述的具有高接合强度的多层结构的转接介面板,其特征在于,至少一该第一导电盲孔及至少一该第二导电盲孔各包含一电性接触部及一从该电性接触部延伸所形成的周边接触部,该电性接触部用以与相对应的至少一该导线线头相接触,该周边接触部用以与任一该薄膜层结构的部分表面相接触。
9.如权利要求8所述的具有高接合强度的多层结构的转接介面板,其特征在于,至少一该第一导电盲孔及至少一该第二导电盲孔的该电性接触部具有一相对应于该导线线头的主要区域及一围绕于该主要区域的其中一部分的周边区域,而该周边接触部从该周边区域延伸所形成。
10.如权利要求9所述的具有高接合强度的多层结构的转接介面板,其特征在于,该周边区域进一步围绕该主要区域的其余部分。
11.如权利要求7所述的具有高接合强度的多层结构的转接介面板,其特征在于,位于最外层的该薄膜层结构上设有一电性连接垫。
12.如权利要求11所述的具有高接合强度的多层结构的转接介面板,其特征在于,由该电性连接垫所延伸的多个最表层晶圆测试点呈矩阵式排列或环绕式排列。
13.如权利要求12所述的具有高接合强度的多层结构的转接介面板,其特征在于,每一个该最表层晶圆测试点上均设有一导电凸块。
14.如权利要求7所述的具有高接合强度的多层结构的转接介面板,其特征在于,至少一该第一导电盲孔与相对应的至少一该第二导电盲孔的相对位置偏离一预定距离。
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H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置;专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理;集成电路器件或其特殊部件的制造





