[实用新型]一种硅通孔的电迁移测试结构

权利要求书

1.一种硅通孔的电迁移测试结构，其特征在于，所述硅通孔的电迁移测试结构至少包括：

通过第一底层金属连接的第一硅通孔及第二硅通孔，所述第一硅通孔及所述第二硅通孔的上端分别连接第一测试端及第二测试端，所述第一硅通孔、所述第二硅通孔及所述第一底层金属的周围设置一温度传感器，以对所述第一硅通孔、所述第二硅通孔及所述第一底层金属通电后的温度进行检测。

2.根据权利要求1所述的硅通孔的电迁移测试结构，其特征在于：所述温度传感器包括第二底层金属、多晶硅层、第三硅通孔、第四硅通孔、第三测试端以及第四测试端；所述第二底层金属包围于所述第一底层金属的四周，与所述第一底层金属位于同一金属层；所述多晶硅层位于所述第二底层金属的上方，通过通孔与所述第二底层金属连接，并覆盖于所述第一底层金属上方；所述第三硅通孔的一端连接所述第二底层金属，另一端连接所述第三测试端；所述第四硅通孔的一端连接所述第二底层金属，另一端连接所述第四测试端。

3.根据权利要求2所述的硅通孔的电迁移测试结构，其特征在于：所述第一底层金属及所述第二底层金属的材质为Cu或Al。

4.根据权利要求1或2所述的硅通孔的电迁移测试结构，其特征在于：所述测试端包括电压测试端和电流测试端。

5.根据权利要求1或2所述的硅通孔的电迁移测试结构，其特征在于：各测试端平行设置。

6.根据权利要求1或2所述的硅通孔的电迁移测试结构，其特征在于：各硅通孔中填充的材质为Cu或Al。