[实用新型]一种复合型纳米银线柔性透明导电电极结构有效
申请号: | 201620059125.6 | 申请日: | 2016-01-21 |
公开(公告)号: | CN205334442U | 公开(公告)日: | 2016-06-22 |
发明(设计)人: | 王干;周兴国 | 申请(专利权)人: | 王干 |
主分类号: | G06F3/044 | 分类号: | G06F3/044 |
代理公司: | 暂无信息 | 代理人: | 暂无信息 |
地址: | 233600 安徽省亳州*** | 国省代码: | 安徽;34 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 一种 复合型 纳米 柔性 透明 导电 电极 结构 | ||
技术领域
本实用新型涉及一种透明导电电极结构,特别涉及一种复合型纳米银线柔性透明 导电电极结构。
背景技术
近年来触控面板在通讯行业的迅速崛起,特别是在移动通讯行业的蓬勃发展,触 控面板一举成为现今成像显示设备的首选产品。使用率最高的触控面板主要是电容式触控 面板。
在传统智能手机的电容式触控面板中,触控电极的材料通常为氧化铟锡(简称为 ITO)。ITO的透光率很高,导电性能较好。但随着触控面板尺寸的逐步增大,特别是应用于15 寸以上的面板时,ITO的缺陷越来越突出,其中最明显的缺陷就是ITO的面电阻过大,价格昂 贵,无法保证大尺寸触控面板良好的导电性能与足够的灵敏度,也无法适用于电子产品不 断低价化的发展趋势。
另外,在制造方法上,原来的ITO需要真空腔、较高的沉积温度和/或高退火温度以 获得高传导性,造成ITO的整体制作成本非常昂贵。而且,ITO薄膜非常脆弱,即使在遇到较 小物理应力的弯曲也非常容易被破坏,因此在可穿戴设备逐渐崛起的新兴产品市场的浪潮 下,ITO材料作为导电电极已无法应付市场的需求而逐渐被淘汰。
正因如此,产业界一直在致力于开发ITO的替代材料,目前逐渐被开发并应用的替 代材料包括纳米银线、金属网格、碳纳米管、有机导电膜、以及石墨烯等。
其中,纳米银线是诸多ITO替代材料目前最为成熟的一种。纳米银线具有银优良的 导电性,同时由于其纳米级别的尺寸效应,使得其具有优异的透光性与耐曲挠性,因此可用 作为优选地替代ITO作为导电电极的材料。
使用纳米银线作为导电电极的材料时,不可避免的也会出现一些问题,比如纳米 银线涂布在基材上方后,纳米银线与基材之间只是很小的粘接力,在基材受到摩擦、热塑性 变及潮湿环境的影响或作用时,纳米银线很容易从基材表面脱落,对导电率造成较大的影 响。而导电率是衡量触控面板性能的一个重要指标,因此克服导电率不良的问题成了亟待 解决的问题。
发明内容
为克服纳米银线柔性透明导电电极结构中纳米银线脱落影响导电率的问题,本实 用新型提供一种复合型纳米银线柔性透明导电电极结构。
本实用新型解决上述技术问题的方案是提供一种复合型纳米银线柔性透明导电 电极结构。该电极结构包括:透明基材,导电膜层,导电膜层由纳米银线网格和导电高分子 粘接层构成,纳米银线网格嵌入在导电高分子粘接层中。复合纳米银线导电电极膜层喷涂 在透明基材的一侧表面。
所述透明基材是一种透明有机柔性薄膜,具体为PE(聚乙烯),PC(聚碳酸酯),聚对 苯二甲酸乙二醇酯(PET)的一种,厚度为厚度为0.01-0.1mm。
所述的导电膜层厚度为50nm-10μm,方阻Rs:10-120Ω/sq。
所述的纳米银线网格嵌入在导电高分子粘接层中,内嵌的纳米银线银尺寸为宽度 为40-50nm,长度为20-100μm。
所述所述复合纳米银线导电电极层膜包括纳米银线网格和高分子粘接层,导电膜 层的厚度为0.1-1μm。
本实用新型的有益效果:与现有技术相比,本实用新型纳米银线导电电极,采用 高分子粘接剂与纳米银线浆料混合喷涂,使得纳米银线之间的搭接由原来的点搭接变为线 搭接和/或面搭接,使搭接面积增大从而导电率得到有效保证,且纳米银线导电层与透明基 膜之间的粘接力大大加强,防止纳米银线的脱落。其次本实用新型纳米银线导电膜制备方 法简单、效率高、成本低,同时解决传统纳米银线导电膜在涂布形成均匀薄膜时存在一定的 工艺技术困难,而且本实用新型纳米银线导电膜的光电性能良好,光透过率在90%以上,方 阻小于100Ω/sq。
附图说明
图1本实用新型一种复合型纳米银线柔性透明导电电极结构示意图;
图2本实用新型一种复合型纳米银线柔性透明导电电极在高倍电镜下结构示意 图;
图中:1、透明基材,2、导电膜层,21、纳米银线,22、高分子粘接层。
具体实施方式
为实现使本实用新型的目的,技术方案及优点更加清楚明白,以下结合附图及实 施实例,对本实用新型进行进一步详细说明。应当理解,此处所描述的具体实施例仅用以解 释本实用新型,并不用于限定本实用新型。
银在纳米级时,纳米银线具有良好的透光率和极佳的导电性,能够很好的运用于 触控面板的导电电极。
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