[实用新型]一种半导体制造黄光室用的LED光源有效

专利信息
申请号: 201620044625.2 申请日: 2016-01-18
公开(公告)号: CN205303510U 公开(公告)日: 2016-06-08
发明(设计)人: 蔡雅飞;颜志远 申请(专利权)人: 绍兴欧柏斯光电科技有限公司
主分类号: H01L33/50 分类号: H01L33/50
代理公司: 暂无信息 代理人: 暂无信息
地址: 312000 *** 国省代码: 浙江;33
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摘要:
搜索关键词: 一种 半导体 制造 黄光室用 led 光源
【说明书】:

技术领域

实用新型属于电子产品技术领域,涉及一种LED光源,特别是一种半导 体制造黄光室的LED黄色封装光源。

背景技术

由于LED具有节能、环保、光色易调等诸多优点,近年来LED在照明领 域得到了飞速发展。越来越多的传统照明灯具被LED灯代替,并取得了很好的 效果。

在半导体制造领域中,有一种刻蚀技术——光刻,被广泛应用。为了避免 其他灯光对光刻曝光过程的干扰,曝光过程一般都在一个相对密闭的环境中进 行,而光刻室内的灯光需要把500nm以下的短波长光去除,因此光刻室通常呈 黄色,俗称黄光室或黄房。目前半导体制造黄光室所用的黄灯大多是在传统的 荧光灯管内壁涂上一层黄色的荧光粉,利用黄色荧光粉把荧光灯所发出的白光 中500nm以下的光过滤掉。利用这种方法制造的黄灯往往存在蓝光污染、光源 衰减寿命快、玻璃纸(布)变质与人眼不适应、光效低、显色性不良、光衰严重、 光色不纯等缺陷。

利用LED黄灯等代替原来的黄灯是一个很好的解决方案。对LED封装光源, 要想达到黄灯所要的效果,就必须把封装光源发射光中的蓝光全部覆盖掉。

实用新型内容

本实用新型的目的是针对现有的技术存在上述问题,提出了一种结构简单, 显示效果好的半导体制造黄光室用的LED光源。

本实用新型的目的可通过下列技术方案来实现:一种半导体制造黄光室用 的LED光源,包括承载基板,所述的承载基板上分别设有绿光LED芯片和黄光 LED芯片,所述的绿光LED芯片所发出的光波长为505~535nm,所述的黄光LED 芯片所发出的光波长为580~595nm,所述的混合光波长为570~620nm。

本实用新型的目的还可通过下列技术方案来实现:一种半导体制造黄光室 用的LED光源,包括PCB板,所述的PCB板上分别设有绿光LED封装单体和黄 光LED封装单体,所述的绿光LED封装单体所发出的光波长为505~535nm,所 述的黄光LED封装单体所发出的光波长为580~595nm,使用光色转移技术所发 出混合可视光波长范围为570~620nm。

与现有技术相比,本半导体制造黄光室用的LED光源通过两个单色LED光 源分别发出绿光和黄光,所形成的混合光,其光色柔合,适合人眼接收。将此 光源应用在照明灯具,可完全消除了曝光显影制程蓝光污染,解决曝光显影区 照明光害问题。

附图说明

图1是本实用新型中实施例1的主视结构示意图;

图2是本实用新型中实施例2的主视结构示意图;

图3是本半导体制造黄光室用的LED光源中绿光LED光源的光谱图;

图4是本半导体制造黄光室用的LED光源中黄光LED光源的光谱图;

图5是本半导体制造黄光室用的LED光源的混合光谱图。

图中,1、承载基板;2、绿光LED芯片;3、黄光LED芯片;4、PCB板;5、 绿光LED封装单体;6、黄光LED封装单体。

具体实施方式

以下是本实用新型的具体实施例并结合附图,对本实用新型的技术方案作 进一步的描述,但本实用新型并不限于这些实施例。

实施例1

如图1所示,本半导体制造黄光室用的LED光源,包括承载基板1,所述的 承载基板1上分别设有绿光LED芯片2和黄光LED芯片3,所述的绿光LED芯片 所发出的光波长为505~535nm,所述的黄光LED芯片所发出的光波长为580~ 595nm,使用光色转移技术所发出混合可视光波长范围为570~620nm。

实施例2

如图2所示,本半导体制造黄光室用的LED光源,包括PCB板4,所述的 PCB板上分别设有绿光LED封装单体5和黄光LED封装单体6,所述的绿光LED 封装单体所发出的光波长为505~535nm,所述的黄光LED封装单体所发出的光 波长为580~595nm,使用光色转移技术所发出混合可视光波长范围为570~ 620nm。

本半导体制造黄光室用的LED光源通过两个单色LED光源分别发出绿光和 黄光,所形成的混合光,其光色柔合,适合人眼接收。将此光源应用在照明灯 具,可完全消除了曝光显影制程蓝光污染,解决曝光显影区照明光害问题。

本文中所描述的具体实施例仅仅是对本实用新型精神作举例说明。本实用 新型所属技术领域的技术人员可以对所描述的具体实施例做各种各样的修改或 补充或采用类似的方式替代,但并不会偏离本实用新型的精神或者超越所附权 利要求书所定义的范围。

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