[实用新型]一种深基坑支护报警系统有效
申请号: | 201620040120.9 | 申请日: | 2016-01-15 |
公开(公告)号: | CN205333117U | 公开(公告)日: | 2016-06-22 |
发明(设计)人: | 代俊;师百垒;杜文平;张敏超;盛骁;池佐华 | 申请(专利权)人: | 西安科技大学 |
主分类号: | G01D21/02 | 分类号: | G01D21/02 |
代理公司: | 西安创知专利事务所 61213 | 代理人: | 谭文琰 |
地址: | 710054 *** | 国省代码: | 陕西;61 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 一种 基坑 支护 报警 系统 | ||
技术领域
本实用新型属于安全报警技术领域,具体涉及一种深基坑支护报警系统。
背景技术
目前,深基坑支护的监测主要采用的方法有:人力监测深基坑围护桩测斜、钢支撑 轴力自动监测仪、桩顶位移的人力全站仪监测。对每项数据监测势必会消耗很大的人力、物 力和财力,围护桩身倾斜监测需要技术监测人员每天定时定员对基坑周边每个桩体进行测 量,所使用的测斜仪比较灵敏,要求测量员操作规范、规整,所得的数据结果具有一定的偏 差性;钢支撑轴力检测仪也比较灵敏,但是监测人员需要在基坑边缘作业,具有一定危险 性;桩顶位移监测实质也是测量围护桩倾斜导致的深基坑周边桩顶导致的位移差,测量繁 琐难度大。轴力计是用来测量钢支撑轴力的重要使用部件,通过轴力计可测量钢支撑支护 质量,由于轴力计本身构造采用一个弹性体套装在金属外壳内,根据挤压造成内部弹簧受 力进而测量钢支撑压力,使用功能单一;因此,现如今缺少一种结构简单、体积小、成本低、 设计合理、响应快且使用安全的深基坑支护报警系统,通过改装轴力计,在轴力计内部安装 滑动变阻器,安装电源构成回路,通过轴力计受压改变弹性体在外壳内的位置测量压力的 同时改变滑动变阻器接入电路的电阻,通过电流的瞬间变化检测深基坑围护桩和钢支撑的 支护质量,解决传统检测系统的体积大,器件多,安全性差和控制复杂等问题。
实用新型内容
本实用新型所要解决的技术问题在于针对上述现有技术中的不足,提供一种深基 坑支护报警系统,其设计新颖合理,结构简单,同时检测深基坑两个方向的支护效果,布设 方便,避免繁琐的交叉线路,实用性强,便于推广使用。
为解决上述技术问题,本实用新型采用的技术方案是:一种深基坑支护报警系统, 其特征在于:包括控制器和与所述控制器相接的检测报警主回路,所述控制器的输入端接 有用于检测深基坑围护桩侧压力的第一轴力计和用于检测深基坑钢支撑压力的第二轴力 计,所述控制器的输出端接有显示器;所述检测报警主回路包括供电电源、报警保护电路以 及连接在所述供电电源和报警保护电路之间用于检测深基坑围护桩倾斜度的第一电流保 护模块和用于检测深基坑钢支撑受压度的第二电流保护模块,所述第一电流保护模块包括 第一电流采样电路和第一开关电路,所述第二电流保护模块包括第二电流采样电路和第二 开关电路;所述第一电流采样电路的输出端和第二电流采样电路的输出端均与控制器的输 入端相接,所述第一开关电路的输入端和第二开关电路的输入端均与控制器的输出端相 接;所述第一电流采样电路、第一开关电路和第一轴力计的数目相同且分别为多个,所述第 二电流采样电路、第二开关电路和第二轴力计的数目相同且分别为多个,所述第一电流采 样电路为可变电阻器R1,所述可变电阻器R1安装在第一轴力计上;所述第二电流采样电路 为可变电阻器R2,所述可变电阻器R2安装在第二轴力计上。
上述的一种深基坑支护报警系统,其特征在于:所述第一开关电路为MOSFET管Q1, 所述MOSFET管Q1的栅极与控制器相接。
上述的一种深基坑支护报警系统,其特征在于:所述可变电阻器R1包括缠绕在第 一轴力计的弹性体上的第一线圈和安装在第一轴力计的外壳内壁上的第一导电体,所述第 一导电体与第一线圈滑动接触;所述第一导电体和第一线圈的一端的连接端与MOSFET管Q1 的漏极相接,第一线圈的另一端与MOSFET管Q1的源极相接。
上述的一种深基坑支护报警系统,其特征在于:所述第二开关电路为MOSFET管Q2, 所述MOSFET管Q2的栅极与控制器相接。
上述的一种深基坑支护报警系统,其特征在于:所述可变电阻器R2包括缠绕在第 二轴力计的弹性体上的第二线圈和安装在第二轴力计的外壳内壁上的第二导电体,所述第 二导电体与第二线圈滑动接触;所述第二导电体和第二线圈的一端的连接端与MOSFET管Q2 的漏极相接,第二线圈的另一端与MOSFET管Q2的源极相接。
上述的一种深基坑支护报警系统,其特征在于:所述供电电源为可充电电池E,所 述可充电电池E的正极通过导线与第一导电体、第一线圈的一端和MOSFET管Q1的漏极的连 接端相接,所述可充电电池E的正极通过导线还与第二导电体、第二线圈的一端和MOSFET管 Q2的漏极的连接端相接。
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